类型：射频开关二极管
　　最大反向电压：100V
　　正向电流（最大）：100mA
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　结电容（典型值）：0.5pF
　　反向恢复时间（典型值）：5ns
　　功耗：300mW

SEDS-9964#50的主要特性之一是其低结电容，这使得它非常适合用于高频电路。低电容减少了信号失真并提高了开关速度，使得该二极管在GHz频率范围内也能保持良好的性能。此外，该器件具有较短的反向恢复时间，这意味着它可以在高频下快速切换状态，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
　　另一个重要特性是其高反向电压能力，SEDS-9964#50可承受高达100V的反向电压，这使其适用于需要高电压隔离的射频电路。此外，该二极管的正向电流额定值为100mA，足以满足大多数射频控制应用的需求。
　　
　　该器件采用SOT-23封装，这是一种小型表面贴装封装，便于在高密度PCB上进行安装。该封装还具有良好的热性能，有助于在高功耗应用中保持器件的稳定性。

SEDS-9964#50广泛应用于射频和微波系统，特别是在需要快速切换和高性能的场合。常见的应用包括射频开关、衰减器、调制器和频率合成器。此外，该二极管也常用于通信设备中的射频信号路径控制，如无线基站、卫星通信系统和射频测试仪器。
　　在射频开关应用中，SEDS-9964#50用于在不同的射频信号路径之间进行切换，确保信号的高质量传输。在衰减器中，该二极管用于调节信号强度，以实现精确的信号控制。此外，它还可用于调制器中，将基带信号叠加到射频载波上，实现数据的无线传输。
　　由于其高可靠性和宽温度范围，SEDS-9964#50也常用于军事和航空航天领域的射频系统中，如雷达和电子战设备。此外，在测试和测量设备中，该二极管用于构建高性能的射频信号源和信号路径切换系统，以确保测试结果的准确性和一致性。

HSMS-285x, BAR64-03V, BB131