时间：2025/5/23 3:16:31
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ETQP4M220YFN是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点，能够有效提升系统的效率和稳定性。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，适用于中高功率应用场合。其封装形式为TO-263（DPAK），具备良好的散热性能，适合长时间在高温环境下工作。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：22A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：55nC
总电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
1. 低导通电阻设计显著降低功耗，提升系统效率。
2. 高击穿电压确保器件在高压环境下的可靠运行。
3. 快速开关速度减少开关损耗，适应高频应用场景。
4. 封装结构优化，提高散热性能并支持表面贴装技术（SMT）。
5. 具备出色的热稳定性和电气特性，在极端温度下仍能保持高效工作。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料使用。
1. 开关模式电源（SMPS）设计中的主开关管或同步整流管。
2. 用于电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器及升压、降压模块中的关键功率元件。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护与负载切换。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的负载驱动与管理。
IRFZ44N, FDP5500, STP22NF06L
