时间：2025/7/1 19:52:02
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NTD4813NHT4G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。该器件适用于高功率密度和高效能应用场合，具备出色的 RDS(on) 特性和低开关损耗。
其耐压为 60V，能够满足多种工业和汽车应用需求，例如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等。该器件由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产，专为高频开关应用优化。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：225A
导通电阻（RDS(on)）：1.0mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：109nC（典型值）
总功耗：275W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TOLL
NTD4813NHT4G 具有非常低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
它还具有快速开关速度和较低的栅极电荷，从而减少了开关过程中的能量损失。
TOLL 封装设计允许更高的功率密度，并提供卓越的散热性能。
此外，这款 MOSFET 的高雪崩能力增强了其在严苛环境下的耐用性。
由于其出色的电气特性和热性能，NTD4813NHT4G 成为许多高要求应用的理想选择。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动电路、负载开关、ORing 开关以及各种工业和汽车电子系统中。
其高电流处理能力和低导通电阻使其特别适合需要高效率和高功率输出的应用场景。
在汽车领域，它可以用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电源管理系统。
此外，NTD4813NHT4G 还可用于服务器电源、通信电源和其他需要高性能功率转换的场合。
NTBSC026N6LLH_T1, IRF6632TRPBF, AO6813L
