类型：射频开关
　　拓扑结构：单刀双掷（SPDT）
　　频率范围：0.01 GHz至3.0 GHz
　　插入损耗：典型值0.35 dB（最大0.5 dB）
　　隔离度：典型值35 dB（最小25 dB）
　　输入IP3：+70 dBm
　　控制电压：2.5V至5.0V兼容
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：16引脚QFN
　　电源电压：2.7V至5.5V
　　功耗：典型值<1 mA

SEDS-9891#50 的主要特性之一是其宽频率覆盖范围，适用于从低频到3 GHz的多种无线通信标准，包括GSM、WCDMA、LTE、Wi-Fi、蓝牙和ZigBee等。其低插入损耗和高隔离度确保了信号路径的高质量和最小干扰，从而提高系统性能。
　　该器件采用先进的GaAs技术，提供优异的线性度和功率处理能力，可承受高达+30 dBm的输入功率而不发生性能退化。此外，其高输入IP3（+70 dBm）使其适用于高线性要求的应用，如多频段前端模块。
　　SEDS-9891#50 的控制电压范围宽（2.5V至5.0V），兼容多种逻辑电平，方便与各种微控制器或基带处理器接口。其低功耗设计（典型电流小于1 mA）有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　该芯片采用16引脚QFN封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和机械可靠性。此外，其内部集成了所有必要的控制电路和RF路径切换机制，简化了外部电路设计，降低了系统复杂性。

SEDS-9891#50 主要用于各种无线通信设备，如智能手机、平板电脑、无线接入点、物联网（IoT）设备、射频前端模块、天线调谐系统以及基站和中继器等通信基础设施。
　　在移动通信领域，该芯片可用于多频段手机的天线切换，实现发射和接收路径的有效隔离；在无线局域网设备中，可用于不同频段（如2.4GHz和5GHz）之间的切换；在物联网应用中，支持多协议（如蓝牙、ZigBee和Wi-Fi）共存时的路径选择。
　　此外，该器件还可用于测试设备和射频测量系统，作为高速切换开关，以实现多通道信号路由和测量。

SEDS-9890#50, SEDS-9891H, RF1217, PE4262