EL4N35S(TA) 时间：2025/8/29 19:10:00 阅读：18

EL4N35S(TA) 是一款由 Renesas Electronics（原 Intersil）推出的高性能光耦合器（光电耦合器），属于高速光耦系列。该器件内部包含一个红外发光二极管（LED）和一个高速光电晶体管，用于实现输入和输出电路之间的电气隔离。EL4N35S(TA) 采用 8 引脚表面贴装（SMD）封装，具有较高的传输速度和良好的隔离性能，广泛应用于工业控制、电源转换、通信设备等领域。该器件的工作温度范围通常为工业级标准 -40°C 至 +85°C，适用于各种严苛环境。

参数

类型：光电耦合器（光隔离器）
　　LED类型：GaAs红外发光二极管
　　输出类型：NPN光电晶体管
　　通道数：1
　　隔离电压：5000 Vrms
　　最大正向电流：60 mA
　　最大集电极电流：150 mA
　　集电极-发射极电压：30 V
　　响应时间：2 μs（典型）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：8-SMD

特性

EL4N35S(TA) 光耦合器具有多项优良特性，适合在多种电子系统中使用。首先，其高隔离电压（5000 Vrms）能够有效隔离输入和输出之间的高压干扰，保障系统安全与稳定性，适用于高电压和高噪声环境中的信号传输。其次，该器件具备较快的响应时间（典型值为2 μs），支持高速信号传输，适用于对响应速度有要求的数字控制电路和脉冲信号隔离。EL4N35S(TA) 的LED驱动电流较低，典型值为10 mA即可正常工作，有助于降低功耗并提升系统的能效。此外，该光耦采用8引脚SMD封装，适合自动化贴片生产流程，提高生产效率并节省PCB空间。该器件的宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在工业级应用中稳定运行，例如变频器、伺服驱动器、可编程控制器（PLC）等。EL4N35S(TA) 的高可靠性和长寿命设计也使其在长时间运行的应用中表现优异，降低了系统维护和更换频率。
　　另外，EL4N35S(TA) 的输出端采用NPN光电晶体管结构，具有较高的输出驱动能力，适用于驱动小型继电器、光耦隔离后的逻辑电路以及数字信号隔离等应用场景。其电流传输比（CTR）通常在 20%~400% 范围内，根据型号不同有所差异，用户可以根据具体应用需求选择合适的版本。在电源设计中，该器件常用于反馈信号的隔离，如在开关电源中实现原边与副边的信号隔离，从而提升系统的稳定性和安全性。EL4N35S(TA) 还具备较强的抗干扰能力，能够有效抑制电磁干扰（EMI）和射频干扰（RFI），保证信号传输的可靠性。由于其优异的性能指标和广泛的应用适应性，EL4N35S(TA) 是工业自动化、电力电子、通信设备等领域的常用光耦元件。

应用

EL4N35S(TA) 光耦合器广泛应用于需要电气隔离和高速信号传输的电子系统中。其主要应用包括：工业自动化控制系统中的信号隔离与传输，如可编程控制器（PLC）、伺服驱动器、变频器等设备；开关电源中的反馈信号隔离，确保原边与副边之间的安全与稳定；电机控制电路中的隔离驱动，用于将控制信号与功率电路隔离，防止高压回路对控制电路造成影响；通信设备中的信号隔离，用于RS-485、CAN总线等通信接口的电气隔离，提升系统的抗干扰能力和通信稳定性；此外，该器件还可用于医疗电子设备、测试仪器、智能电表等多种对电气安全要求较高的应用场景。由于其高可靠性和工业级温度范围，EL4N35S(TA) 也常用于恶劣环境下的长期运行系统，如户外通信基站、工业现场监测设备等。