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EL4N35S(TA) 发布时间 时间:2025/8/29 19:10:00 查看 阅读:15

EL4N35S(TA) 是一款由 Renesas Electronics(原 Intersil)推出的高性能光耦合器(光电耦合器),属于高速光耦系列。该器件内部包含一个红外发光二极管(LED)和一个高速光电晶体管,用于实现输入和输出电路之间的电气隔离。EL4N35S(TA) 采用 8 引脚表面贴装(SMD)封装,具有较高的传输速度和良好的隔离性能,广泛应用于工业控制、电源转换、通信设备等领域。该器件的工作温度范围通常为工业级标准 -40°C 至 +85°C,适用于各种严苛环境。

参数

类型:光电耦合器(光隔离器)
  LED类型:GaAs红外发光二极管
  输出类型:NPN光电晶体管
  通道数:1
  隔离电压:5000 Vrms
  最大正向电流:60 mA
  最大集电极电流:150 mA
  集电极-发射极电压:30 V
  响应时间:2 μs(典型)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:8-SMD

特性

EL4N35S(TA) 光耦合器具有多项优良特性,适合在多种电子系统中使用。首先,其高隔离电压(5000 Vrms)能够有效隔离输入和输出之间的高压干扰,保障系统安全与稳定性,适用于高电压和高噪声环境中的信号传输。其次,该器件具备较快的响应时间(典型值为2 μs),支持高速信号传输,适用于对响应速度有要求的数字控制电路和脉冲信号隔离。EL4N35S(TA) 的LED驱动电流较低,典型值为10 mA即可正常工作,有助于降低功耗并提升系统的能效。此外,该光耦采用8引脚SMD封装,适合自动化贴片生产流程,提高生产效率并节省PCB空间。该器件的宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在工业级应用中稳定运行,例如变频器、伺服驱动器、可编程控制器(PLC)等。EL4N35S(TA) 的高可靠性和长寿命设计也使其在长时间运行的应用中表现优异,降低了系统维护和更换频率。
  另外,EL4N35S(TA) 的输出端采用NPN光电晶体管结构,具有较高的输出驱动能力,适用于驱动小型继电器、光耦隔离后的逻辑电路以及数字信号隔离等应用场景。其电流传输比(CTR)通常在 20%~400% 范围内,根据型号不同有所差异,用户可以根据具体应用需求选择合适的版本。在电源设计中,该器件常用于反馈信号的隔离,如在开关电源中实现原边与副边的信号隔离,从而提升系统的稳定性和安全性。EL4N35S(TA) 还具备较强的抗干扰能力,能够有效抑制电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI),保证信号传输的可靠性。由于其优异的性能指标和广泛的应用适应性,EL4N35S(TA) 是工业自动化、电力电子、通信设备等领域的常用光耦元件。

应用

EL4N35S(TA) 光耦合器广泛应用于需要电气隔离和高速信号传输的电子系统中。其主要应用包括:工业自动化控制系统中的信号隔离与传输,如可编程控制器(PLC)、伺服驱动器、变频器等设备;开关电源中的反馈信号隔离,确保原边与副边之间的安全与稳定;电机控制电路中的隔离驱动,用于将控制信号与功率电路隔离,防止高压回路对控制电路造成影响;通信设备中的信号隔离,用于RS-485、CAN总线等通信接口的电气隔离,提升系统的抗干扰能力和通信稳定性;此外,该器件还可用于医疗电子设备、测试仪器、智能电表等多种对电气安全要求较高的应用场景。由于其高可靠性和工业级温度范围,EL4N35S(TA) 也常用于恶劣环境下的长期运行系统,如户外通信基站、工业现场监测设备等。

替代型号

TLP521-1(TP,E,C,F), PC817X1YXXXXP, HCPL-2631-000E, 6N137, LTV-817S

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