类型：射频开关
　　频率范围：DC至6 GHz
　　插入损耗：典型值0.4 dB（在2.5 GHz时）
　　隔离度：典型值35 dB（在2.5 GHz时）
　　工作电压：2.3 V至5.5 V
　　控制电压：1.2 V至5.5 V兼容
　　封装形式：16引脚QFN（3 mm x 3 mm）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

SEDS-9651射频开关芯片具有多个关键特性，使其在无线通信系统中表现出色。首先，它支持从直流到6 GHz的宽频率范围，这使其适用于多种无线频段的应用，包括Wi-Fi、蓝牙、Zigbee、蜂窝网络等。其次，该器件的插入损耗非常低，典型值仅为0.4 dB，有助于保持信号的完整性并减少功率损耗。同时，其高隔离度（典型值35 dB）确保了不同通道之间的信号隔离效果，从而提升了系统的整体性能。
　　SEDS-9651的工作电压范围较宽，可在2.3 V至5.5 V之间正常运行，适应不同电源设计需求。控制电压范围也较为宽泛，支持1.2 V至5.5 V的逻辑电平输入，便于与各种控制器（如FPGA、微处理器）连接。此外，该芯片采用16引脚QFN封装，尺寸小巧（3 mm x 3 mm），非常适合在空间受限的设备中使用。
　　该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够适应工业级温度要求，适用于户外设备、基站、工业控制系统等多种环境。其CMOS工艺不仅提升了器件的稳定性，还降低了功耗，有助于延长设备的电池寿命或减少系统发热。

SEDS-9651适用于多种射频系统设计，包括无线基站、移动通信设备、Wi-Fi和蓝牙模块、物联网(IoT)设备、测试与测量仪器以及射频前端模块。其低插入损耗和高隔离度特性使其在需要多路射频信号切换的应用中表现出色，如MIMO天线切换、天线调谐、频段选择等场景。此外，该芯片也广泛用于工业自动化设备、医疗电子设备以及汽车通信系统中，满足高性能射频切换需求。

SEDS-9652, SEDS-9650, RF1272, HMC649