时间：2025/5/27 10:08:06
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SEBLC03CI是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源管理应用。其封装形式为SOT-223，这种封装有助于提高散热性能并减少安装空间需求。
SEBLC03CI主要面向消费电子、工业控制以及通信设备等领域，能够有效降低功耗，提升系统效率。
型号：SEBLC03CI
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOT-223
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：180mΩ
ID（连续漏极电流）：3.9A
f（工作频率）：支持高频切换
Qg（栅极电荷）：14nC
VGS(th)（栅源开启电压）：2.1V
工作温度范围：-55°C至150°C
SEBLC03CI具有低导通电阻（RDS(on)），这使其在导通状态下的功耗显著降低。此外，该器件的高频操作能力使得它非常适合于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。
它的SOT-223封装提供了出色的散热性能，同时保持了紧凑的尺寸设计。此外，SEBLC03CI能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，从-55°C到150°C，适应多种恶劣环境条件。
由于其较低的栅极电荷（Qg），SEBLC03CI具备快速的开关速度，从而减少了开关损耗，提升了整体系统效率。
SEBLC03CI还拥有较高的漏源极电压（VDS）和较大的连续漏极电流（ID），确保了其在高功率应用场景中的可靠性。
SEBLC03CI广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 消费类电子产品中的负载切换
6. 电池保护电路
7. 照明控制（如LED驱动）
该器件因其高性能和可靠性，成为众多电源管理和信号切换应用的理想选择。
IRLML6344TRPBF, AO3400A
