B9608 时间：2025/12/27 11:56:37 阅读：20

B9608是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率、高频开关场合。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适合在紧凑型电子设备中实现高效能的功率控制。B9608通常封装在TO-220或DPAK等标准功率封装中，便于散热设计和PCB布局。其主要优势在于能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景，从而简化电路设计并降低系统成本。此外，该器件具备优良的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。B9608在工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子等领域均有广泛应用。

参数

型号：B9608
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　连续漏极电流ID：130A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流IDM：520A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：典型值4.5mΩ（VGS=10V）
　　导通电阻RDS(on)：典型值6.0mΩ（VGS=4.5V）
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：典型值5000pF
　　输出电容Coss：典型值1800pF
　　反向恢复时间trr：典型值45ns
　　最大功耗Ptot：200W（Tc=25℃）
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-220 / DPAK

特性

B9608作为一款高性能N沟道MOSFET，其核心优势体现在极低的导通电阻与出色的开关性能上。该器件在VGS=10V条件下，RDS(on)典型值仅为4.5mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。即使在较低的栅极驱动电压如4.5V下，其导通电阻仍可维持在6.0mΩ左右，这使其非常适合用于由微控制器或逻辑门直接驱动的低压控制系统中，无需额外的电平转换或栅极驱动器电路，从而节省了外围元件数量和PCB空间。
　　该器件具备高达130A的连续漏极电流承载能力，在短时间内甚至可承受520A的脉冲电流，适用于大电流负载切换和电机启动等瞬态高电流应用。其内部结构优化了载流子迁移路径，减少了寄生电感和电阻，提升了动态响应速度。同时，输入电容和输出电容的合理匹配使得在高频开关应用中能够有效减少开关损耗，支持高达数百kHz的PWM调制频率，适用于现代高效的同步整流DC-DC变换器设计。
　　B9608还具备优异的热稳定性和可靠性。其最大功耗可达200W（在壳温25℃时），结合标准TO-220封装的良好散热特性，可在高功率密度环境下长期稳定运行。器件的工作结温范围宽达-55℃至+175℃，满足严苛工业和车载环境的应用需求。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约45ns），有助于减少换流过程中的能量损耗和电磁干扰，进一步提升系统效率与EMI表现。

应用

B9608广泛应用于多种需要高效功率开关的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具驱动电路、LED照明驱动电源以及工业电机控制模块。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用作主开关管或同步整流管，在大电流输出的电源拓扑中发挥关键作用。此外，该器件也常用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等新能源相关设备中，以实现高效的能量转换与管理。在汽车电子领域，B9608可用于车载DC-DC转换器、辅助加热系统或车灯控制单元，凭借其宽温域特性和高可靠性，适应复杂多变的车载工作环境。其标准化封装也便于自动化生产与维修替换，进一步增强了市场适用性。