时间：2024/9/20 9:39:30
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在ON Semiconductor的帮助下，放大电子信号并在它们之间切换；NTLJS4114NT1G功率MOSFET。其最大功耗为1920 mW。为了确保安全交付，并允许在交付后快速安装此组件，装运期间将其封装在胶带和卷筒包装中。这种N沟道MOSFET晶体管以增强模式工作。该MOSFET晶体管的最低工作温度为-55°C，最高工作温度为150°C。
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）Id,Vgs 25℃：35毫欧2A,4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)25℃：3.6A
闸电荷(Qg)Vgs：13nC 4.5V
在Vds时的输入电容(Ciss)：650pF 15V
功率-最大：700mW
无卤素状态：Halogen Free
通道数：1
针脚数：6
漏源极电阻：0.0203Ω
极性：N-Channel
耗散功率：3.3 W
阈值电压：550 mV
漏源极电压(Vds)：30 V
漏源击穿电压：30 V
栅源击穿电压：±12.0 V
连续漏极电流(Ids)：7.80 A
上升时间：9 ns
输入电容(Ciss)：650pF 15V(Vds)
额定功率(Max)：700 mW
下降时间：4 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：700mW(Ta)
引脚数：6
长度：2 mm
宽度：2 mm
高度：0.75 mm
工作温度：-55℃~150℃(TJ)
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VDFN
包装：带卷(TR)
供应商设备封装：6-TDFN
其它名称：NTLJS4114NT1G-NDNTLJS4114NT1GOSTR
WDFN封装提供外露排水垫，以实现良好的热传导
2x2 mm占地面积，与SC相同?88
2x2 mm封装中最低RDS（打开）
1.8 V RDS（开）额定值，用于低压逻辑电平门驱动器操作
薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装
这是Pb免费设备
