SE5VUVBN102是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于各种功率转换和负载开关应用。其封装形式为SOT-23,适合表面贴装技术(SMT),广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
该型号主要设计用于需要高效能和小型化解决方案的场景,例如便携式设备中的电源管理模块、DC-DC转换器和电池保护电路等。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:1.9A
导通电阻(典型值):102mΩ
总功耗:420mW
工作结温范围:-55℃至175℃
SE5VUVBN102的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,能够适应高频工作环境,降低电磁干扰(EMI)。
3. 小型化的SOT-23封装,节省PCB空间,非常适合紧凑型设计。
4. 宽泛的工作温度范围,确保在极端条件下仍能稳定运行。
5. 内置反向二极管,可防止因寄生电感导致的电压尖峰损坏器件。
SE5VUVBN102的应用领域非常广泛,主要包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 负载开关和电机驱动电路。
4. 电池保护及充电管理电路。
5. 各类便携式电子产品中的电源管理单元(PMU)。
此外,由于其出色的热性能和电气性能,也常被用作信号切换和功率分配的解决方案。
AO3401A
IRLML6402
FDMQ8207