时间：2025/5/29 19:47:27
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SE5VUVBN102是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种功率转换和负载开关应用。其封装形式为SOT-23，适合表面贴装技术(SMT)，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
该型号主要设计用于需要高效能和小型化解决方案的场景，例如便携式设备中的电源管理模块、DC-DC转换器和电池保护电路等。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（典型值）：102mΩ
总功耗：420mW
工作结温范围：-55℃至175℃
SE5VUVBN102的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，能够适应高频工作环境，降低电磁干扰(EMI)。
3. 小型化的SOT-23封装，节省PCB空间，非常适合紧凑型设计。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端条件下仍能稳定运行。
5. 内置反向二极管，可防止因寄生电感导致的电压尖峰损坏器件。
SE5VUVBN102的应用领域非常广泛，主要包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 负载开关和电机驱动电路。
4. 电池保护及充电管理电路。
5. 各类便携式电子产品中的电源管理单元(PMU)。
此外，由于其出色的热性能和电气性能，也常被用作信号切换和功率分配的解决方案。
AO3401A
IRLML6402
FDMQ8207
