您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SE5VFN103

SE5VFN103 发布时间 时间:2025/7/1 12:31:11 查看 阅读:9

SE5VFN103是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通提升系统的效率和性能。
  SE5VFN103在设计上注重优化了功率损耗与热管理,非常适合高频率应用环境。此外,它具备出色的耐用性和稳定性,可以适应各种复杂的工作条件。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:3.8A
  导通电阻:45mΩ
  总栅极电荷:9nC
  输入电容:540pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

SE5VFN103具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适合现代电子设备的需求。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性,使其能够在异常条件下安全运行。
  4. 小型化封装(如SOT23),便于PCB布局并节省空间。
  5. 工作温度范围宽广,确保在极端环境下的可靠性能。

应用

SE5VFN103适用于以下典型应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载切换。
  4. 电机驱动和控制电路。
  5. 各类保护电路,例如过流保护或短路保护。
  6. 消费类电子产品中的信号切换功能。

替代型号

IRF530
  STP55NF06
  FDP5500

SE5VFN103推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价