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W632GG8NB11J 发布时间 时间:2025/8/20 11:47:52 查看 阅读:23

W632GG8NB11J 是一款由 Winbond 公司生产的串行 NOR 闪存芯片,主要用于嵌入式系统和存储应用。这款芯片具备高性能和高可靠性的特点,适用于需要非易失性存储器的多种应用场景。其主要特点是容量为256Mbit(32MB),支持标准SPI、Dual SPI和Quad SPI接口,使其在数据传输速度上具备优势。

参数

容量:256Mbit (32MB)
  接口类型:SPI, Dual SPI, Quad SPI
  工作电压:1.65V 至 3.6V
  读取速度:120MHz
  擦写周期:100,000 次
  数据保存时间:10 年
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

W632GG8NB11J 采用高性能的串行 NOR 闪存技术,具有宽电压工作范围(1.65V 至 3.6V),适用于各种低功耗和便携式设备。该芯片支持标准、Dual 和 Quad SPI 接口模式,提供高达120MHz的读取频率,显著提高数据传输效率。此外,其耐用性达到10万次擦写周期,确保在频繁写入应用中的可靠性。数据保存时间长达10年,适合长期存储需求。该芯片采用TSOP封装,便于集成到紧凑型电路板中,并支持-40°C至+85°C的工作温度范围,适应各种严苛环境条件。
  另外,W632GG8NB11J 提供多种安全特性,包括软件和硬件写保护功能,防止意外数据修改。它还支持JEDEC 标准 ID,便于系统识别和兼容性管理。此外,芯片内置的ECC(错误校正码)支持功能可以提高数据完整性,确保在高可靠性应用中的稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品、汽车电子系统、智能卡、医疗设备以及其他需要非易失性存储器的设备。例如,它可以用于存储固件、引导代码、配置数据、图形资源和用户数据等。其高性能和高可靠性也使其适合用作微控制器的外部存储器。

替代型号

W25Q256JV, S25FL256S, MX25U25635F

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W632GG8NB11J参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织256M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-VFBGA
  • 供应商器件封装78-VFBGA(8x10.5)