SE2623L-R1是一款高度集成的射频功率放大器(PA)集成电路,专为无线通信应用设计。该器件通常用于Wi-Fi、WLAN、蓝牙和ZigBee等2.4GHz频段的无线系统中,提供高线性度和高效率的功率放大功能。SE2623L-R1由Se2623L-R1 Semiconductor公司制造,具有低功耗特性,适合电池供电设备和小型无线模块使用。
工作频率:2.4GHz至2.5GHz
输出功率:典型值为+22dBm
增益:28dB(典型)
工作电压:3.0V至5.0V
电流消耗:典型值为220mA(输出功率为+22dBm时)
封装形式:16引脚QFN(3mm x 3mm)
工作温度范围:-40°C至+85°C
线性度:满足802.11b/g/n标准要求
输入/输出阻抗:50Ω(典型)
隔离度:25dB(典型)
SE2623L-R1 IC是一款专为高性能无线通信系统设计的射频功率放大器集成电路。其主要特性包括宽电压工作范围(3.0V至5.0V),这使得它能够适应多种电源配置,适用于不同的应用环境。该器件在2.4GHz频段内提供高达+22dBm的输出功率,并具有约28dB的高增益,从而有效提升无线信号的传输距离和稳定性。
SE2623L-R1采用先进的GaAs工艺制造,具有优异的线性度和高效率,能够满足IEEE 802.11b/g/n等无线标准对功率放大器的严格要求。此外,该IC内置输入匹配网络和输出匹配电路,简化了外部设计并减少了PCB空间占用。其低功耗特性(典型电流消耗为220mA)使其非常适合用于电池供电的无线设备,如智能手机、平板电脑、USB无线适配器和物联网(IoT)设备。
该器件采用16引脚QFN封装(3mm x 3mm),便于表面贴装,并具有良好的散热性能。其工作温度范围为-40°C至+85°C,确保在各种环境条件下都能稳定运行。SE2623L-R1还具备良好的隔离度(典型值25dB),有助于减少系统中不同射频模块之间的干扰,提高整体系统性能。
SE2623L-R1广泛应用于各种2.4GHz无线通信系统中,包括Wi-Fi 802.11b/g/n接入点和客户端设备、蓝牙模块、ZigBee网络、无线传感器、USB无线适配器、智能家电和物联网(IoT)设备。该器件也适用于需要高线性度和高效率的射频发射系统,如无人机通信模块、远程控制设备和工业无线通信设备。其紧凑的封装和低功耗特性使其特别适合空间受限和电池供电的应用场景。
SKY65113-21, QPF4233, SE2623L, SE2623R16, RDA5870, nRF24L01