晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：100mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　噪声系数（NF）：1.3dB（典型值）
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　封装类型：SOT-323

2SC4261QI-03UR具备优异的高频响应特性，适用于100MHz及以下的射频放大应用。其低噪声系数（NF）为1.3dB，确保了在低噪声放大器中的卓越性能，从而提高了接收器的信号清晰度和灵敏度。该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，允许设计者根据具体应用需求选择合适的增益等级。此外，该晶体管具有较高的线性度和稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的工作性能。
　　该晶体管的封装形式为SOT-323，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。其小型封装也有助于减少高频应用中的寄生效应，从而提升整体电路性能。2SC4261QI-03UR的耐压能力为50V（VCEO），集电极电流最大可达150mA，能够满足大多数中等功率射频放大需求。此外，其100mW的最大功耗使其适用于低功耗设计，有助于提高设备的能效和延长电池寿命。
　　该晶体管还具备良好的热稳定性和机械稳定性，能够在恶劣的工作环境中可靠运行。由于其NPN结构和高β值，它在高频放大电路中提供了出色的线性放大能力，适用于各类无线通信设备，如FM接收器、无线局域网（WLAN）设备和射频识别（RFID）系统。

2SC4261QI-03UR广泛应用于射频放大器、无线通信设备、FM接收器、数据传输系统以及射频前端模块。其高频率特性和低噪声性能使其成为低噪声放大器（LNA）和中频放大器的理想选择。此外，该晶体管也可用于高速开关电路和数字逻辑电路。

2SC3356, BFQ59, 2SC4222, 2N3904