时间：2025/8/22 3:12:01
阅读：7
SE2613L-R是一款由SEMI-TEK公司推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压和高开关速度的特点，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电源管理系统中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大5.8mΩ（在Vgs=10V）
功耗(Pd)：120W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
SE2613L-R具有出色的电性能和热性能，能够在高频率下稳定运行，适用于要求高效能和小尺寸设计的应用场景。其低导通电阻有效降低了功率损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具备高耐压能力，可承受较大的电压冲击，从而提高了系统的可靠性和稳定性。器件采用了先进的封装技术，增强了散热性能，使器件在高功率条件下也能保持良好的工作状态。SE2613L-R的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，有助于提高整体能效。同时，其高电流承载能力使其适用于高负载环境下的应用。
SE2613L-R还具有良好的抗雪崩能力和热稳定性，可以在恶劣的工作条件下保持稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，适用于各种工业、汽车电子和消费类电子设备。
SE2613L-R主要应用于高性能电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块以及各类高效能电源设备。其高效率和高可靠性使其成为工业控制、通信设备、新能源汽车和消费类电子产品中的理想选择。
SiSS2613L, TPS62130, AO4406, FDS6680
