DBM25S 时间：2025/8/16 23:21:09 阅读：6

DBM25S 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。这款晶体管采用先进的沟槽技术，能够提供较低的导通电阻和高效的电流处理能力，使其在各种高功率应用中表现出色。DBM25S 通常采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术，便于在 PCB 上安装。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（Id）：25A
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 37mΩ（在 Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

DBM25S MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统的整体效率。其导通电阻在 10V 栅极电压下仅为 37mΩ，这使得它非常适合用于高电流的应用，例如 DC-DC 转换器、电机控制和负载开关。此外，该器件具有高功率耗散能力（100W），能够在较高的负载条件下稳定运行。
　　另一个重要特性是其宽泛的栅源电压范围（±20V），允许使用更高的栅极驱动电压来确保器件完全导通，从而降低功耗并提高可靠性。TO-252（DPAK）封装设计不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装技术，便于自动化生产和紧凑的 PCB 设计。此外，DBM25S 还具有良好的热稳定性和抗过载能力，确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定的性能。

应用

DBM25S 主要用于需要高效功率转换的电路中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器和负载开关电路。由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 特别适合用于同步整流、高边和低边开关以及高功率 LED 驱动器等场景。
　　在工业自动化和电机控制应用中，DBM25S 可以作为功率开关，用于控制电机的启停和速度调节。此外，它还可用于电源管理系统，如 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电池充放电控制器。由于其封装尺寸较小且散热性能良好，因此也广泛应用于空间受限的设计中。