工作频率：2.4 GHz - 2.5 GHz
　　输出功率：+27 dBm（典型值）
　　增益：33 dB（典型值）
　　电源电压：3.3 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：20引脚QFN
　　输入/输出阻抗：50Ω

SE2590L-R具有多个显著的技术特性，使其在射频功率放大器市场中脱颖而出。
　　首先，该芯片采用了高效的GaAs HBT（Heterojunction Bipolar Transistor，异质结双极晶体管）技术，确保在高频段下依然保持出色的放大性能。其典型工作频率范围为2.4 GHz至2.5 GHz，适用于2.4 GHz ISM频段以及802.11b/g/n Wi-Fi系统。
　　其次，SE2590L-R的输出功率可达+27 dBm，增益典型值为33 dB，能够在低电压（3.3 V）供电条件下提供高线性度和高效率的射频输出。这对于延长电池供电设备的续航时间尤为重要。
　　此外，芯片内部集成了输入匹配网络和输出匹配网络，减少了外围电路的设计复杂度，降低了整体BOM成本。该器件还具备良好的热稳定性和ESD保护功能，确保在严苛环境下的稳定运行。
　　最后，SE2590L-R采用20引脚QFN封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，适用于各种便携式和嵌入式无线通信设备。

SE2590L-R广泛应用于各种高性能无线通信系统中，主要包括：Wi-Fi接入点和路由器、工业无线通信模块、点对点微波通信设备、蜂窝基站和中继器、物联网（IoT）设备以及测试测量仪器等。其高线性度和高效率特性，使其在需要高数据传输速率和远距离通信能力的应用场景中表现尤为出色。例如，在Wi-Fi 4/5系统中，SE2590L-R可以显著提升信号覆盖范围和连接稳定性；在工业无线传感器网络中，它能够确保在复杂电磁环境中保持可靠的通信链路。此外，该芯片也适用于短距离无线传输设备，如无线摄像头、无人机遥控器等，提供稳定的射频放大支持。

RF5110、HMC414、SE2591L-R