SE23T35B3.0B 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并减少热量产生。
其封装形式通常为 TO-252(DPAK),具备出色的散热性能,适合在紧凑型设计中使用。
型号:SE23T35B3.0B
类型:N 沟道功率 MOSFET
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻):3.0mΩ(典型值,10V 栅极驱动时)
ID(连续漏极电流):35A
Qg(栅极电荷):26nC
fT(转换频率):2.4MHz
结温范围:-55℃ 至 +175℃
SE23T35B3.0B 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),能够在高电流条件下保持高效运行。
2. 快速开关能力,降低了开关损耗,特别适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 紧凑型表面贴装封装,简化了 PCB 布局设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
该器件的低 RDS(on) 和高电流承载能力使其成为高效能功率转换应用的理想选择。
SE23T35B3.0B 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
3. 电池保护电路和负载开关。
4. 工业电机控制和驱动。
5. 汽车电子中的负载切换和电源管理。
由于其高效率和低热耗散的特点,这款 MOSFET 在需要高性能和高可靠性的应用中表现出色。
SE23T35B3.5B
IRLZ44N
FDP5580
AO3400