时间：2025/5/29 12:06:05
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SE23T35B3.0B 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并减少热量产生。
其封装形式通常为 TO-252（DPAK），具备出色的散热性能，适合在紧凑型设计中使用。
型号：SE23T35B3.0B
类型：N 沟道功率 MOSFET
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻）：3.0mΩ（典型值，10V 栅极驱动时）
ID（连续漏极电流）：35A
Qg（栅极电荷）：26nC
fT（转换频率）：2.4MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
SE23T35B3.0B 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够在高电流条件下保持高效运行。
2. 快速开关能力，降低了开关损耗，特别适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 紧凑型表面贴装封装，简化了 PCB 布局设计。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该器件的低 RDS(on) 和高电流承载能力使其成为高效能功率转换应用的理想选择。
SE23T35B3.0B 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流器。
3. 电池保护电路和负载开关。
4. 工业电机控制和驱动。
5. 汽车电子中的负载切换和电源管理。
由于其高效率和低热耗散的特点，这款 MOSFET 在需要高性能和高可靠性的应用中表现出色。
SE23T35B3.5B
IRLZ44N
FDP5580
AO3400
