时间：2025/7/2 14:37:47
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SE23T35B15B 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效率和低损耗。
SE23T35B15B 的设计注重可靠性与耐用性，适用于各种工业及消费类电子产品中的功率管理任务。
类型：MOSFET
封装形式：TO-220
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：0.28Ω
功耗(Pd)：175W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SE23T35B15B 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻确保在大电流应用中减少功率损耗。
2. 快速开关能力使其适合高频开关应用，能够有效降低开关损耗。
3. 高击穿电压保证了其在高压环境下的稳定性。
4. 内置保护机制增强了芯片的鲁棒性，避免因过流或短路导致损坏。
5. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境条件。
SE23T35B15B 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路，如家用电器中的风扇、泵等设备。
3. 逆变器系统，例如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 各种工业控制场合，例如自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理单元。
IRF840, FQP17N60, STP15NF06L
