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SE23T35B15B 发布时间 时间:2025/7/2 14:37:47 查看 阅读:8

SE23T35B15B 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频工作条件下保持高效率和低损耗。
  SE23T35B15B 的设计注重可靠性与耐用性,适用于各种工业及消费类电子产品中的功率管理任务。

参数

类型:MOSFET
  封装形式:TO-220
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):0.28Ω
  功耗(Pd):175W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SE23T35B15B 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻确保在大电流应用中减少功率损耗。
  2. 快速开关能力使其适合高频开关应用,能够有效降低开关损耗。
  3. 高击穿电压保证了其在高压环境下的稳定性。
  4. 内置保护机制增强了芯片的鲁棒性,避免因过流或短路导致损坏。
  5. 工作温度范围宽广,适应多种恶劣环境条件。

应用

SE23T35B15B 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括适配器、充电器等。
  2. 电机驱动电路,如家用电器中的风扇、泵等设备。
  3. 逆变器系统,例如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。
  4. 各种工业控制场合,例如自动化设备中的功率管理模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理单元。

替代型号

IRF840, FQP17N60, STP15NF06L

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