SE2014BT 时间：2025/8/21 18:33:22 阅读：7

SE2014BT 是一款由 Sanken（三健电机株式会社）生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等高效率功率系统中。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻、高耐压和高电流能力，适合在高频率和高效率要求的电路中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：100V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：140A
　　最大功率耗散 Pd：200W
　　导通电阻 Rds(on)：5.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

SE2014BT 的核心优势在于其超低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有优异的热稳定性和电流承载能力。
　　其高耐压特性（Vds=100V）使其适用于多种中高功率应用，如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统（BMS）。此外，SE2014BT 还具备良好的热性能和耐久性，能够在高温环境下稳定工作，提升了系统的可靠性和寿命。
　　该 MOSFET采用 TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能，适用于自动化贴片工艺，适合大规模工业生产。此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V~20V），兼容多种驱动电路，便于设计和应用。
　　SE2014BT 还具备快速开关特性，降低开关损耗，适用于高频开关电源应用。其高 dv/dt 抗扰能力也有助于减少误触发，提高系统稳定性。这些特性使得 SE2014BT 成为高性能功率电子系统中理想的功率开关器件。

应用

SE2014BT 主要用于各种高效率功率电子设备中，包括但不限于：同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源模块、电源适配器、服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备等。
　　由于其高电流能力、低导通电阻和良好的热性能，SE2014BT 特别适用于需要高可靠性和高效率的电源转换系统，例如在通信设备、新能源汽车、储能系统和智能电网中均有广泛应用。