SDUR6030WT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备出色的电气特性和热性能,能够满足高功率密度应用的需求。
该器件适用于各种工业、消费类电子设备中的电源管理和功率转换系统。其封装形式通常为行业标准封装,便于安装和散热管理。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻(典型值):4mΩ
栅极电荷:35nC
总电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
SDUR6030WT 的设计旨在实现高效率和可靠性。以下是其主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代功率转换应用。
3. 高电流处理能力,能够在大负载条件下稳定运行。
4. 良好的热稳定性,确保在极端温度环境下依然保持优异性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且兼容无铅焊接工艺。
SDUR6030WT 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计,包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路,如家用电器、工业设备中的电机驱动。
3. 电池充电器和电池管理系统(BMS)。
4. 电信和网络设备中的功率模块。
5. 工业自动化和机器人技术中的功率控制单元。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP5500
IXFH30N06T2