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SDUR6030WT 发布时间 时间:2025/4/29 13:46:25 查看 阅读:18

SDUR6030WT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备出色的电气特性和热性能,能够满足高功率密度应用的需求。
  该器件适用于各种工业、消费类电子设备中的电源管理和功率转换系统。其封装形式通常为行业标准封装,便于安装和散热管理。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):4mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

SDUR6030WT 的设计旨在实现高效率和可靠性。以下是其主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适合现代功率转换应用。
  3. 高电流处理能力,能够在大负载条件下稳定运行。
  4. 良好的热稳定性,确保在极端温度环境下依然保持优异性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且兼容无铅焊接工艺。

应用

SDUR6030WT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路,如家用电器、工业设备中的电机驱动。
  3. 电池充电器和电池管理系统(BMS)。
  4. 电信和网络设备中的功率模块。
  5. 工业自动化和机器人技术中的功率控制单元。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP5500
  IXFH30N06T2

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SDUR6030WT参数

  • 现有数量430现货
  • 价格1 : ¥18.68000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)300 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)-
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.3 V @ 30 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)45 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 300 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247AD