工作频率：0.01 GHz至6 GHz
　　插入损耗：典型值0.3 dB（频率范围内）
　　隔离度：典型值40 dB（频率范围内）
　　输入IP3：+65 dBm
　　VSWR：1.2:1（典型值）
　　供电电压：3.1 V至5.5 V
　　控制电压：1.8 V至5 V兼容
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

SDR5100SF采用了先进的CMOS技术，提供了卓越的射频性能和稳定性。其高频覆盖范围使其适用于广泛的无线通信频段，包括2G、3G、4G LTE以及Wi-Fi、蓝牙等短距离通信标准。该器件的插入损耗极低，有助于减少信号传输中的能量损耗，提高系统整体效率。同时，高隔离度确保在切换过程中不同路径之间的信号干扰最小，提升了信号完整性。
　　此外，SDR5100SF具备优异的三阶交调截点（IP3）性能，适用于高线性度要求的应用场景，如多频段射频前端模块和基站设备。其宽电压供电范围（3.1V至5.5V）增强了设计灵活性，可适配多种电源管理系统。控制接口兼容1.8V至5V逻辑电平，便于与不同类型的微控制器或FPGA连接，简化系统集成。
　　该芯片还具有低功耗特性，在待机模式下功耗极低，适合对能效敏感的便携式设备和远程通信节点。其封装形式为小型QFN封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。综合来看，SDR5100SF是一款高性能、多功能的射频开关芯片，适用于多种高频切换应用。

SDR5100SF广泛应用于多种射频系统中，包括但不限于：蜂窝通信基站中的天线切换和频段选择、Wi-Fi 6和蓝牙5.0等无线模块中的射频路由控制、测试测量设备中的信号路径切换、工业自动化设备中的无线通信接口管理，以及汽车电子中的V2X通信模块。由于其宽频带特性，它也可用于多频段射频前端模块设计，实现高效的信号路径控制。

PE42642, SKY13407-375LF, RF1218, HMC649