时间：2025/7/24 17:45:27
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SDR1N 是一种表面贴装型的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），由ROHM Semiconductor制造。该二极管采用小型SOD-123表面贴装封装，适用于高密度安装场合。由于其低正向压降和快速开关特性，SDR1N广泛应用于各种电子设备中，如电源转换器、整流电路、续流二极管以及高频电路保护等场景。
类型：肖特基二极管
最大正向电流：1A
峰值反向电压：30V
正向压降：最大0.45V @ 0.5A
反向漏电流：最大100μA @ 25°C
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-123
SDR1N具有低正向压降的特性，使其在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率。该特性对于电池供电设备或高效率电源转换器尤为重要。
此外，SDR1N具备快速开关能力，能够有效应对高频工作环境，减少开关损耗，提升系统响应速度。其小型SOD-123封装设计不仅节省空间，还支持自动化贴片工艺，适合高密度PCB布局。
该器件的可靠性较高，能够在较宽的温度范围内稳定工作，从-55°C到+150°C，适用于多种工业和消费类应用。同时，其较高的峰值反向电压（30V）使其在许多低压系统中具备良好的过压保护能力。
SDR1N常用于DC-DC转换器和AC-DC电源整流电路中，作为高效整流元件使用。
在电池充电管理系统中，该器件可作为隔离二极管防止电流倒灌。
在马达驱动或继电器控制电路中，SDR1N可作为续流二极管，吸收电感负载断电时产生的反向电动势，保护开关元件。
此外，该器件也适用于高频逆变器、LED照明驱动电路及各种便携式电子产品中。
SR1A, 1N5819, MBRS130T3G
