制造商：Skyworks Solutions, Inc.
　　产品类型：GaAs pHEMT 射频晶体管
　　工作频率范围：DC 至 6 GHz
　　增益：典型值14 dB @ 2 GHz
　　噪声系数：典型值0.5 dB @ 2 GHz
　　输出功率（P3dB）：典型值20 dBm @ 2 GHz
　　漏极电流（ID）：可调范围 40 mA - 100 mA
　　漏源电压（VDS）：最大额定值12 V
　　输入/输出阻抗：50 Ω 匹配设计
　　封装类型：SOT-343 (SC-86A)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　互调失真（IMD3）：优于-30 dBc @ 2 GHz
　　隔离度：典型值35 dB @ 2 GHz

SDPB1K10NB-7基于先进的GaAs pHEMT工艺技术，具备卓越的射频性能表现。其核心优势在于极低的噪声系数，在2 GHz频率下典型值仅为0.5 dB，这使得它非常适合用作接收链路中的第一级低噪声放大器（LNA），有效提升系统的整体信噪比。同时，该器件在宽频带内提供稳定的增益响应，典型增益达到14 dB以上，保证信号在传输过程中保持足够的强度。由于采用了优化的器件结构设计，SDPB1K10NB-7在高频率操作时仍能维持出色的线性度，三阶互调失真（IMD3）优于-30 dBc，有助于减少邻道干扰，满足现代通信系统对高保真信号放大的要求。
　　该晶体管支持宽范围的直流偏置调节，漏极电流可在40 mA至100 mA之间调整，用户可根据实际应用场景灵活设定功耗与性能之间的平衡点。配合合理的外围匹配网络，可在不同频段实现最佳输入输出驻波比（VSWR），提高能量传输效率。其SOT-343小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，适合高密度布局的射频模块。此外，器件内部集成了ESD保护结构，增强了在生产装配和现场使用过程中的抗静电能力，提升了整体系统的可靠性。在整个工作温度范围内，电气参数变化小，表现出优异的温度稳定性，适用于户外基站、工业环境等复杂工况下的长期运行。

SDPB1K10NB-7广泛应用于各类高性能射频系统中，尤其适用于需要低噪声放大和高线性增益的关键环节。常见用途包括蜂窝通信基础设施中的基站接收前端，如GSM、UMTS、LTE及5G NR微波回传链路中的低噪声放大器（LNA）。在点对点和点对多点无线通信系统中，该器件可用于增强微弱信号的接收灵敏度，提升远距离传输的稳定性。此外，在卫星通信地面站设备中，SDPB1K10NB-7被用于射频前端模块，以确保在低信号电平条件下仍能实现清晰可靠的信号还原。
　　该晶体管也适用于宽带无线接入系统，例如WLAN、WiMAX以及其他ISM频段设备，在这些应用中其宽频带特性可以简化多频段设计。在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，SDPB1K10NB-7常被用作内部射频放大单元，保障仪器在高频段的精确响应。由于其良好的动态范围和抗干扰能力，也可用于雷达系统、航空航天电子系统以及军事通信设备中。对于研发工程师而言，该器件是构建原型射频放大电路的理想选择，因其数据手册提供了详细的匹配建议和稳定性分析，便于快速完成设计验证。无论是消费类通信模块还是高端专业设备，SDPB1K10NB-7都能提供一致且可靠的射频放大性能。

SMP1326-011LF
　　CGY2170
　　BF998