SDP137NMD

类型：N沟道
　　漏极-源极电压 Vds：30V
　　栅极-源极电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id（@TC=25℃）：180A
　　导通电阻 Rds(on)（@VGS=10V）：≤4.5mΩ
　　功耗 PD：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 或其他高性能散热封装

SDP137NMD 的关键特性之一是其非常低的 Rds(on)，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，并允许在高温条件下稳定运行。此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了热性能和电流处理能力。它具备较高的雪崩能量耐受性，增强了在恶劣环境中的可靠性。
　　SDP137NMD 还设计有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，从而提高整体系统的能效。该器件的栅极电荷 Qg 较低，进一步提高了高频操作时的性能表现。
　　在保护方面，SDP137NMD 具备过热保护和过流保护功能，在极端工况下仍能维持稳定性。此外，该 MOSFET 在封装上采用了高效的散热结构，确保在大电流操作时的热量迅速散发，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。
　　由于其出色的电气特性和机械稳定性，SDP137NMD 可广泛应用于电动工具、电动汽车、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备等领域。

SDP137NMD 主要用于以下几类应用场景：
　　1. **DC-DC 转换器**：在高效同步整流拓扑中作为主开关元件，帮助提高能源转换效率。
　　2. **电机驱动和控制系统**：适用于高功率电机控制电路，如电动车控制器、工业伺服电机等，提供高电流承载能力和良好的热稳定性。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：作为充放电控制开关，尤其适用于高容量锂电池组管理。
　　4. **电源管理和负载切换**：用于高功率负载的开关控制，例如服务器电源、电信设备以及不间断电源（UPS）等。
　　5. **汽车电子系统**：包括车载充电器、逆变器、电动助力转向系统等，满足汽车工业对高可靠性和高效率的需求。

STL137N4LF7AG, SDP138N40F7, IPW90R15P6S, IRFP4110PBF