型号：UT100N03G-TN3-R
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A
　　脉冲漏极电流(IDM)：23.2A
　　导通电阻(RDS(on))：最大10mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：最大13mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：最大16mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压(Vth)：典型值1.2V，范围0.8V~2.0V
　　输入电容(Ciss)：约450pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：约150pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　反向恢复时间(trr)：约15ns
　　工作温度范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃

UT100N03G-TN3-R采用先进的沟槽型场效应晶体管技术，具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为10mΩ，显著降低了在高电流条件下的导通损耗，从而提高了电源系统的转换效率。这一特性使其特别适用于对能效要求较高的应用场景，如便携式设备的电池供电回路和同步整流电路。同时，即使在较低的栅极驱动电压下，例如4.5V或2.5V，其RDS(on)仍保持在13mΩ和16mΩ以内，表明该器件对逻辑电平驱动具有良好的适应性，能够直接由微控制器或其他低电压驱动信号控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　该器件的阈值电压典型值为1.2V，范围在0.8V至2.0V之间，确保了在启动阶段能够快速开启，避免因开启延迟导致的能量浪费或电压跌落问题。其输入电容Ciss约为450pF，输出电容Coss约为150pF，在高频开关应用中表现出较小的驱动功耗和较快的开关响应速度，有助于实现更高的开关频率，进而减小外围滤波元件的体积，提高功率密度。此外，UT100N03G-TN3-R具有较短的反向恢复时间trr（约15ns），在与体二极管参与工作的场景中（如H桥或BUCK电路续流阶段），可有效降低反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰，提升系统稳定性。
　　热性能方面，得益于SOT-23封装优化的散热设计和芯片本身的高热导率结构，UT100N03G-TN3-R能够在-55℃至+150℃的结温范围内稳定运行，满足工业级和汽车电子部分应用场景的需求。器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下吸收一定的能量而不发生永久性损坏，提升了在恶劣工况下的可靠性。所有参数均经过严格测试，并在数据手册中提供详细曲线支持，便于工程师进行精确建模与仿真分析。

UT100N03G-TN3-R因其小封装、低导通电阻和高电流承载能力，被广泛应用于多种中低功率电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源等，常用于电池充放电管理电路中的负载开关或保护开关，利用其低RDS(on)特性减少发热并延长续航时间。在DC-DC转换器特别是同步降压（Buck）变换器中，该MOSFET可作为上管或下管使用，配合控制器实现高效的电压调节功能，适用于主板供电、CPU核心电源等场景。
　　在电机驱动领域，UT100N03G-TN3-R可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为开关元件控制电流方向和通断，其快速开关特性和低导通损耗有助于提高驱动效率并减少热量积累。此外，在LED照明驱动方案中，特别是在恒流源或调光控制模块中，该器件可用于PWM调光开关，实现精准的亮度控制。
　　工业控制和自动化设备中也常见其身影，例如用于继电器替代、固态开关、传感器电源控制等场合。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可用于汽车电子中的车载配件电源管理，如行车记录仪、倒车雷达、车载充电器等非主驱系统。此外，在各类电源适配器、USB PD快充模块、无线充电发射端控制电路中，UT100N03G-TN3-R都能发挥出色的性能表现。凭借SOT-23的小型化封装优势，该器件非常适合PCB空间紧张的设计，同时支持回流焊工艺，适应现代自动化生产流程。

SI2302-DS, AON6260, FDN302P, MMBF5484, DMG2302U