类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：180A（在Tc=25°C时）
　　脉冲漏极电流(Idm)：720A
　　Rds(on)：最大值为1.9mΩ（典型值可能更低）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 HV

SDP137HVNMD 的核心优势在于其卓越的电气性能和高可靠性设计。
　　首先，该器件采用了STMicroelectronics先进的沟槽式MOSFET制造工艺，这使得其具有非常低的Rds(on)，通常可低于1.9mΩ，极大地降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　其次，SDP137HVNMD具备高达100V的漏源击穿电压，适用于多种中高压应用场景。其强大的电流承载能力（高达180A连续漏极电流）确保了它能够在高负载条件下稳定运行。
　　此外，该MOSFET支持高达720A的脉冲漏极电流，使其适合处理瞬态大电流冲击情况。其宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C）进一步增强了其在极端环境下的可靠性。
　　封装方面，SDP137HVNMD采用的是PowerFLAT 5x6 HV封装，这种封装形式不仅具有优良的热性能，而且体积小巧，便于在紧凑型设计中使用，同时支持表面贴装工艺，提升了生产效率和装配可靠性。
　　总体而言，SDP137HVNMD是一款专为高性能电源管理和高功率密度应用而设计的MOSFET器件，兼具高效率、高可靠性和出色的热管理能力。

SDP137HVNMD因其优异的性能广泛应用于多个领域：
　　1. **电源转换系统**：如DC-DC转换器、AC-DC电源模块等，用于提高转换效率并降低发热。
　　2. **电动车辆与充电设备**：用于车载充电器、电池管理系统（BMS）中的功率开关，满足对高可靠性和高温稳定性的需求。
　　3. **工业自动化与电机驱动**：在变频器、伺服驱动器、直流电机控制器中作为主功率开关元件。
　　4. **储能系统与UPS不间断电源**：用于实现高效的能量存储与释放控制。
　　5. **消费类电子产品**：如高端笔记本电脑、服务器电源模块等要求高效率与小尺寸的应用场景。
　　综上所述，SDP137HVNMD凭借其高耐压、低导通电阻、高电流容量及紧凑封装的优势，成为众多高功率密度和高效率电源设计的理想选择。

IPW60R020C7, FDP137HVN, STD137HN