时间：2025/6/27 15:06:32
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SDP137A2MD 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源转换应用设计。这款器件采用了先进的制造工艺，以确保在高温和高压环境下依然能够保持稳定的性能。作为一款N沟道增强型MOSFET，SDP137A2MD能够在较高的频率下运行，适合用于各种电力电子设备中的开关元件。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：180A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
Rds(on)（最大值）：4.7mΩ（在Vgs=10V时）
SDP137A2MD MOSFET具有多种优异的电气和热性能特征。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温条件下可靠地工作。这种MOSFET的高电流容量和大功率处理能力使其非常适合应用于需要高功率密度的设计中。其坚固耐用的结构也提供了出色的抗雪崩能力和短路耐受性，从而增强了整体系统的可靠性。
由于采用了TO-247封装技术，SDP137A2MD不仅保证了良好的散热效果，还简化了与外部电路的连接过程。这种封装方式允许直接安装到印刷电路板上，并且可以通过散热片进一步提升散热性能。对于那些对空间有严格要求的应用来说，紧凑的尺寸设计使得它成为理想选择之一。
SDP137A2MD广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 直流-直流转换器（DC/DC Converter）
- 电机控制器
- 不间断电源（UPS）
- 太阳能逆变器
- 工业自动化控制系统
- 高压电源供应单元
此外，由于其卓越的性能表现，该器件也被经常用作负载开关、电池充电管理以及各类消费电子产品中的关键组件。
STP150N10F7-4, IPW90R120C3, IRFP4668
