IXTH54N30T 时间：2025/8/5 23:13:22 阅读：13

IXTH54N30T是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率开关应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于电源转换器、电机控制、DC-DC变换器、UPS系统以及工业自动化设备等多种高功率电子系统。

参数

类型：MOSFET，N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：300V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：54A（25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：最大85mΩ（典型值65mΩ）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH54N30T具备一系列优异的电气和热性能。其低导通电阻特性可显著降低在高电流工作状态下的导通损耗，从而提高系统的整体效率。该MOSFET具有高击穿电压能力，最大漏源电压可达300V，使其适用于中高功率应用。器件采用TO-247封装，提供良好的散热性能，有助于提高器件在高温环境下的稳定性。
　　此外，IXTH54N30T具有快速开关能力，开关时间短，可有效减少开关损耗，提高电源转换效率。其栅极驱动要求相对较低，兼容标准MOSFET驱动电路，便于系统设计和集成。该器件还具有良好的热稳定性和抗短路能力，适合在高可靠性要求的工业和电源系统中使用。
　　值得一提的是，IXTH54N30T的工作温度范围广泛，支持从-55℃到+175℃的极端环境温度下稳定工作，适合用于恶劣环境条件下的电子系统。此外，该器件的封装设计有利于散热器安装，进一步提升散热效率。