时间：2025/6/27 15:08:55
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SDP117ATMD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型MOSFET。该器件主要用于高频率开关应用，例如电源转换器、DC-DC变换器和电机控制电路中。其主要特点是低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力和快速开关性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。
SDP117ATMD采用先进的PowerFLAT 5x6封装技术，这种封装形式不仅有助于提高散热效率，还能节省PCB空间，从而提升整体系统的可靠性与稳定性。此外，该器件具有良好的热稳定性和抗冲击能力，使其在恶劣环境下也能正常工作。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：80A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
RDS(on)：最大值为4.5mΩ @ VGS = 10V
开启阈值电压（VGS(th)）：1V~3V
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SDP117ATMD具有多项突出的技术特性，首先其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了能量转换效率，非常适合高频开关应用的需求。其次，它具备较高的耐压能力（30V漏源电压），能够应对瞬态高压或过载情况，提升了系统的鲁棒性。
此外，SDP117ATMD采用了先进的封装技术，即PowerFLAT 5x6毫米封装，这种无引脚的表面贴装封装方式提供了更好的热管理和空间利用率，使设备更紧凑且易于集成到现代电子产品中。该器件还支持较高的栅极驱动电压（最高可达20V），这有助于进一步降低导通电阻并优化开关性能。
在动态性能方面，SDP117ATMD表现出优异的开关速度，包括较短的上升时间和下降时间，减少了开关过程中的能量损耗。同时，它的寄生电容较小，降低了高频操作时的驱动损耗，使得整体效率更高。
由于其优良的电气特性和热管理能力，SDP117ATMD能够在较为苛刻的工作环境中稳定运行，并延长了设备的使用寿命。
SDP117ATMD广泛应用于多种高性能电力电子系统中，尤其适合对效率和体积要求较高的场景。常见的应用包括但不限于：
1. 同步整流：用于提高AC-DC或DC-DC电源模块的转换效率；
2. DC-DC转换器：如升压（Boost）、降压（Buck）以及升降压（SEPIC）拓扑结构，常见于笔记本电脑、服务器和通信设备的供电系统；
3. 电池管理系统：作为高效的充放电控制元件；
4. 电机控制：用于H桥实现精确的速度和方向控制；
5. 负载开关：用于智能配电系统中，以实现对负载的快速通断控制；
6. 太阳能逆变器和其他新能源设备：用于实现高效的能量转换与调节。
总体而言，SDP117ATMD是为满足现代电子设备对高效率、小型化和高可靠性需求而设计的理想选择。
IPD90N03LG, SQHF30N035T, STD80NF03L
