时间：2025/6/29 15:44:32
阅读：3
SDP117ANMD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高电流和高功率应用，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。它广泛应用于电源管理、电机控制、电池充电器以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A（在Tc=25℃时）
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-247
导通电阻(RDS(on))：典型值为6.5mΩ（当Vgs=10V时）
SDP117ANMD MOSFET的最大优点之一是其非常低的导通电阻，在高温下仍能保持良好的性能，确保了在高电流应用中的稳定性和可靠性。
此外，该器件采用了STMicroelectronics先进的PowerMESH技术，优化了晶圆布局以实现更高的电流密度和更小的芯片尺寸，同时保持优异的热稳定性。
由于其高耐压能力（100V Vds），SDP117ANMD适用于多种高压应用场景，并且能够承受较高的瞬态电压而不损坏。
它的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理效率。
这款MOSFET还具备快速开关能力，降低了开关损耗，使其非常适合用于高频开关电源或DC-DC转换器等应用场合。
SDP117ANMD 主要应用于需要高电流和高效率的电力电子系统中，例如：电源供应器（SMPS）、DC-AC逆变器、电机驱动器、电动车充电系统、工业自动化控制系统、LED照明驱动电路以及各种高功率负载开关控制。
此外，它也常用于服务器电源、电信设备电源模块、太阳能逆变器和储能系统中作为主开关元件。
在汽车电子领域，如车载充电器（OBC）和电驱系统中也有广泛应用。
其优异的热性能和高可靠性也使其成为工业电机控制和机器人系统中理想的功率开关器件。
IRF1405, IPW90R120C3, STD120N10F7AG, STB110N10F7AG
