时间：2025/6/29 15:47:06
阅读：5
SDP117AMMD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET器件，主要用于高效率电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中的功率开关需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流 (ID)：11A
最大漏源电压 (VDS)：30V
最大栅源电压 (VGS)：20V
导通电阻 (RDS(on))：16mΩ @ VGS=10V
栅极电荷 (Qg)：24nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SDP117AMMD 具备多项优异的电气性能和物理特性。首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升整体系统效率。
其次，该器件的高耐压能力（30V VDS）使其能够在较高的电压环境下稳定运行，适应多种电源管理应用的需求。
此外，SDP117AMMD 提供较大的栅极驱动兼容性，支持常见的逻辑电平控制，简化电路设计并提高集成度。
该器件还具有良好的热管理性能，在高负载情况下仍能维持稳定的温度表现，延长使用寿命并提高系统可靠性。
封装方面，SDP117AMMD 通常采用表面贴装的PowerFLAT或类似高效散热封装，有助于在紧凑空间内实现高效的功率切换功能。
SDP117AMMD 主要应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器、工业自动化控制模块以及便携式电子设备的电源管理单元。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET特别适合用于要求高效率和低发热的设计中。
在汽车电子领域，SDP117AMMD 也可用于车载充电系统、电动助力转向（EPS）控制器以及其他车载功率模块。
此外，该器件还广泛用于服务器电源、网络设备及通信基站的电源子系统中，提供可靠的功率控制解决方案。
STD117AMMD, IPD117P03P4-03, FDP117N30
