时间：2025/9/1 16:20:59
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H9CCNNNBJTMLAR-NTM 是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计，提供高速数据访问和低功耗特性，适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等对性能和能效要求较高的设备。
容量：8GB（64Gb）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：FBGA
引脚数量：151
工作电压：1.1V
数据速率：3200Mbps
时钟频率：1600MHz
组织结构：x16
工作温度范围：-40°C至+85°C
H9CCNNNBJTMLAR-NTM 芯片具备多项先进特性，确保其在高负载和复杂环境中依然能够稳定运行。该芯片支持低功耗设计，能够在不同工作模式下自动调节功耗，从而延长设备的电池寿命。其3200Mbps的数据速率和1600MHz的时钟频率提供了出色的内存带宽，满足高性能计算和图形处理的需求。此外，该芯片采用x16的组织结构，提供更高的数据吞吐能力，并具备良好的兼容性，支持多种主流移动平台和嵌入式系统。
该芯片还支持先进的时序校准功能，确保数据传输的稳定性和准确性。其FBGA（细间距球栅阵列）封装技术不仅提高了封装密度，还增强了散热性能，适合在紧凑型设备中使用。此外，H9CCNNNBJTMLAR-NTM支持多种刷新模式和自刷新功能，确保在低功耗状态下仍能保持数据完整性。
H9CCNNNBJTMLAR-NTM 主要用于高端智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、嵌入式系统以及需要高性能内存支持的移动计算设备。它也可用于工业控制、汽车电子、物联网设备等对内存性能和稳定性有较高要求的应用场景。
H9CCNNNBJTMLAR-NTM的替代型号包括H9HCNNNBJTMLAR-NTM（同属海力士LPDDR4系列，容量和性能相近）以及三星的K3UH60BDAM-ACLU和美光的MT53B128M64D4DS-046（需确认引脚兼容性和时序参数是否匹配）
