时间：2025/6/29 15:36:24
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SDP117AHVTMD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽式栅极技术，提供低导通电阻和优异的热性能。
类型：N沟道
漏源电压(VDS)：100V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：180A
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ（典型值）
功率耗散(PD)：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SDP117AHVTMD具备非常低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
其先进的封装设计支持高效的散热管理，适用于高功率密度的应用场景。
此外，该MOSFET具有快速开关能力，适合用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等需要高速切换的场合。
其坚固的设计使其能够在严苛的工作环境下保持稳定性能，并具有良好的雪崩击穿耐受性。
该器件还内置了静电放电（ESD）保护功能，提高了产品的可靠性。
该器件广泛应用于服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制系统、电动车辆（EV）充电器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、DC-DC转换器以及同步整流器等领域。
其高效率和高可靠性的特点使其成为现代高效能电源管理系统中的关键元件。
STD180N10F7AG, STD180N10F7-1AG
