时间：2025/6/27 14:55:03
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SDP117AHV2MD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率的电源管理应用设计。该器件采用先进的高压技术，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制等领域。
作为一款N沟道增强型MOSFET，SDP117AHV2MD具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及良好的热稳定性，能够在高温和高负载条件下保持稳定工作。其封装形式为 HVSON12（Heat-Via Small Outline No-Lead 12引脚），具有优良的散热性能和空间节省优势。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：8A（在25°C下）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为4.5mΩ（Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：HVSON12（无铅、双排散热焊盘封装）
功耗（Ptot）：3.2W（在25°C下）
输入电容（Ciss）：约1600pF
SDP117AHV2MD 具备多项高性能特性，首先其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率；其次，该器件支持高达100V的漏源击穿电压，能够适应多种中高压应用场景。
此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，HVSON12封装不仅体积小巧，而且底部带有大面积散热焊盘，有助于快速散热，提升整体系统的可靠性和稳定性。
其高栅极电压耐受能力（±20V）允许使用更高的驱动电压以进一步优化导通性能，同时防止过压损坏。另外，该器件具备良好的抗雪崩能力和短路保护性能，在恶劣工况下仍能维持正常运行。
SDP117AHV2MD 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
- 同步整流DC-DC降压/升压转换器
- 电池管理系统中的负载开关控制
- 工业自动化控制系统中的电机驱动电路
- 高效服务器和电信设备的电源模块
- 多路电源分配与负载均衡系统
- 汽车电子中的功率调节与稳压装置
STL11N10FH5, IPD18N10S3L09, STD10NM60N, SDP117AHV2MA
