时间：2025/9/19 13:17:24
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SDNT2012X502F3950FTF 是一款由 Susumu 公司生产的高精度、小型化贴片式薄膜电阻阵列。该器件采用 2012 封装尺寸（即 0805 英制尺寸），集成了多个精密薄膜电阻，具有优异的温度稳定性、长期稳定性和低寄生效应，适用于对精度和可靠性要求极高的模拟电路与精密测量系统。该型号中的 'X502' 表示其为包含五个独立电阻的阵列，每个电阻阻值为 3.95 kΩ，公差为 ±1%。'F' 代表薄膜工艺，'T' 表明其为编带包装，适合自动化贴片生产。此系列电阻广泛应用于医疗设备、测试仪器、工业控制、高保真音频系统以及精密传感器接口等场景。Susumu 的薄膜制造技术确保了产品具备低噪声、低温度系数（TCR）和良好的耐湿性，能够在严苛的工作环境中保持性能稳定。此外，该器件符合 RoHS 指令要求，无铅且环保，适合现代绿色电子产品设计需求。
型号：SDNT2012X502F3950FTF
制造商：Susumu
封装尺寸：2012 (公制) / 0805 (英制)
元件类型：薄膜电阻阵列
阵列配置：5个独立电阻
标称阻值：3.95 kΩ
阻值公差：±1%
温度系数（TCR）：±25 ppm/°C
额定功率：0.1 W (单个电阻)
工作温度范围：-55°C 至 +155°C
存储温度范围：-55°C 至 +155°C
绝缘电阻：≥1000 MΩ
耐压：200 V 最大
焊接方式：回流焊
包装形式：编带（Tape and Reel）
SDNT2012X502F3950FTF 采用先进的薄膜沉积技术制造，具备极高的电气精度和长期稳定性。其核心优势在于使用镍铬（NiCr）或其他高性能合金材料作为电阻层，通过真空溅射工艺均匀沉积在高纯度陶瓷基板上，随后经过激光微调修整，确保每个电阻单元的阻值精确匹配设计目标。这种制造工艺显著降低了传统厚膜电阻中存在的颗粒不均、老化漂移和非线性温漂问题。该器件的温度系数低至 ±25 ppm/°C，在宽温度范围内能维持稳定的阻值表现，特别适合用于精密电压分压、桥式传感器激励、ADC/DAC 参考缓冲等关键信号链路中。此外，由于是多电阻集成阵列，各电阻之间具有良好的热耦合特性，能够在温度变化时保持相对一致性，从而减少因温差引起的失调误差。
该器件还具备出色的抗湿性和耐腐蚀能力，得益于其致密的薄膜结构和表面保护涂层，可在高湿度环境下长期工作而不发生性能劣化。其寄生电感和电容极小，频率响应平坦，适合高频或高速信号处理应用。机械强度方面，2012 封装结构紧凑但足够坚固，能够承受标准 SMT 回流焊工艺，并在振动、冲击等恶劣条件下保持连接可靠性。此外，所有材料均符合 RoHS 和 REACH 环保标准，不含铅、镉等有害物质，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品的环保要求。整体而言，这款电阻阵列为追求高精度、高可靠性的电子系统提供了理想的基础元件选择。
该电阻阵列广泛应用于对精度和稳定性要求极为严格的高端电子设备中。在医疗电子领域，常用于心电图机、血压监测仪、血糖分析仪等设备的信号调理电路，确保微弱生理信号的准确采集与放大。在工业自动化控制系统中，它被用作可编程逻辑控制器（PLC）中的反馈采样电阻、电流检测网络或 DAC 输出滤波网络的一部分，保障控制精度和系统稳定性。测试与测量仪器如数字万用表、示波器、源测量单元（SMU）也依赖此类高精度电阻进行校准和参考设置，以保证测量结果的准确性。此外，在通信基础设施中，可用于基站射频模块的偏置网络或功率控制环路中，提供稳定的参考电压。在高保真音频设备中，该电阻可用于音量控制后的缓冲级或均衡网络，因其低噪声和非线性失真特性，有助于提升音质还原度。航空航天与国防系统中，这类器件也被用于导航系统、雷达信号处理单元中的精密分压网络，确保极端环境下的运行可靠性。科研仪器如数据采集系统、锁相放大器、光电探测器前端电路同样受益于其优异的长期稳定性和低温漂特性。
RN2012W502F3950TDF
SRN2012-F3950Y
