电容值：2.2μF
　　容差：±20%
　　额定电压：16V DC
　　电介质材料：X7R
　　温度特性：±15% @ -55°C to +125°C
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　长度：1.6mm ±0.15mm
　　宽度：0.8mm ±0.15mm
　　厚度：1.05mm max
　　端接类型：Ni/Sn（镍阻挡层+锡镀层）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 RC≥100S（取较大值）
　　耐压能力：24V AC / 40V DC（短时）
　　电容电压降：在16V偏置下，电容值可能下降至初始值的60%-70%
　　ESR：典型值低于10mΩ（取决于频率）
　　谐振频率：约10MHz（根据安装环境略有差异）

CL10A225MQ8NNND作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备优异的电气稳定性与机械可靠性。
　　首先，其采用X7R类II型电介质材料，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等材料，适合对温度稳定性要求较高的应用场景。同时，X7R材料在非线性电压特性方面虽不如C0G/NP0，但在高容值需求下提供了良好的平衡点。该器件的2.2μF大容量在0603小型封装中实现，体现了现代MLCC高密度堆叠技术和薄层介质工艺的进步。
　　其次，该电容采用镍阻挡层端子结构（Ni-barrier），有效防止铜扩散至外部电极，提升长期可靠性和抗迁移能力，特别适用于高温高湿环境下的长期运行。表面镀锡处理增强了可焊性，并兼容无铅回流焊工艺，满足RoHS和REACH环保标准。
　　再者，其低等效串联电阻（ESR）和较低的等效串联电感（ESL）使其在高频去耦应用中表现优异，可用于为数字IC（如MCU、FPGA、ASIC）提供稳定的局部电源滤波，抑制噪声和电压波动。尽管随着直流偏置电压升高，其实际电容值会显著降低——例如在16V满压下可能仅保留原始值的60%左右——但通过合理选型（如选用更高额定电压型号）可缓解此问题。
　　此外，该器件具有良好的耐热冲击性能，能承受多次回流焊过程而不损坏，适合自动化SMT生产线。其紧凑的0603封装节省PCB空间，有利于高密度布局设计，广泛用于智能手机、平板电脑、无线模块、电源转换器和DC-DC稳压电路中。

CL10A225MQ8NNND主要应用于需要中等容量、良好温度稳定性和小型化的电子电路中。
　　在电源管理领域，它常被用作DC-DC转换器的输入和输出滤波电容，配合电感构成LC滤波网络，平滑电压纹波，提高电源质量。由于其低ESR特性，能够有效吸收开关噪声，减少电压尖峰，保护后级敏感电路。
　　在数字系统中，该电容广泛用于处理器、存储器、逻辑芯片等的电源去耦（bypass/de-coupling），为瞬态电流变化提供本地储能，维持供电电压稳定，防止因电流突变引起的系统误动作或信号完整性下降。
　　此外，在消费类电子产品如智能手机、可穿戴设备、蓝牙耳机中，该器件因其小尺寸和高可靠性成为首选元件之一，用于音频放大器旁路、传感器供电滤波、射频模块耦合等场景。
　　工业控制和汽车电子中也常见其身影，尤其是在非动力系统的车载信息娱乐系统或车身控制模块中，满足AEC-Q200部分应力测试要求（具体需查证三星官方认证状态）。
　　在通信设备中，可用于时钟电路、PLL环路滤波、ADC/DAC参考电压旁路等场合，提升信号精度与系统稳定性。总之，凡是需要在有限空间内实现2.2μF左右滤波功能且工作环境温度变化较大的应用，CL10A225MQ8NNND都是一个性价比高且技术成熟的解决方案。

GRM188R71C225KA12D
　　 C1608X7R1C225K
　　 CL10A225MP8NNNE
　　 LC0603X7R1C225M