类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：40A
　　连续漏极电流（ID）@70°C：20A
　　脉冲漏极电流（IDM）：160A
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on) @VGS=4.5V：9.8mΩ
　　导通电阻RDS(on) @VGS=2.5V：13.5mΩ
　　导通电阻RDS(on) @VGS=1.8V：18mΩ
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
　　栅极电荷（Qg）@4.5V：10nC
　　输入电容（Ciss）：1320pF
　　输出电容（Coss）：470pF
　　反向恢复时间（trr）：12ns
　　二极管正向电压（VSD）：0.85V
　　最大功耗（PD）：4.2W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

SDM40E20LA-7采用了Vishay先进的TrenchFET?沟道技术，这种技术通过在硅片上构建垂直的沟道结构，显著提升了单位面积内的载流子迁移效率，从而实现了极低的导通电阻RDS(on)。在VGS=4.5V时，其典型RDS(on)仅为9.8mΩ，在同类20V N沟道MOSFET中处于领先水平。这一特性使得器件在大电流应用中能够有效降低导通损耗，减少发热，提高系统整体效率。尤其是在电池供电设备如笔记本电脑、移动电源、USB PD快充模块中，低RDS(on)意味着更小的能量浪费和更长的续航时间。
　　该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好性能，支持1.8V、2.5V和4.5V逻辑电平驱动，兼容现代低压控制器和PWM驱动IC，适用于多相降压变换器和同步整流拓扑。其较低的栅极电荷（Qg=10nC）和输入电容（Ciss=1320pF）减少了驱动电路所需的能量，降低了开关损耗，使器件能够在高频开关环境下稳定运行，例如在MHz级的同步降压转换器中表现出色。同时，较短的反向恢复时间（trr=12ns）意味着体二极管的反向恢复电荷很小，有助于减少交叉导通风险和电磁干扰（EMI），特别适合用于半桥或全桥拓扑中的同步整流应用。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅体积小巧（与标准SO-8兼容），而且通过底部裸露焊盘实现优异的散热性能，允许将热量高效传导至PCB，从而提升功率密度。该封装还减少了寄生电感，进一步改善了高频开关行为。此外，该器件具有+150°C的最大工作结温，确保在高温环境下仍能可靠运行。内置的体二极管具备快速恢复能力，增强了在感性负载切换过程中的鲁棒性。总体而言，SDM40E20LA-7是一款高性能、高可靠性且易于集成的功率MOSFET，非常适合用于高效率电源管理设计。

SDM40E20LA-7广泛应用于需要高效、低电压开关的电源管理系统中。典型应用场景包括同步降压转换器（Buck Converter），特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，用于CPU、GPU或ASIC供电。由于其低RDS(on)和快速开关特性，它也常用于DC-DC电源模块、POL（Point-of-Load）转换器以及服务器主板上的电源轨调节。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和超极本中，该器件被用作电池电源开关、负载开关或充电路径控制，以实现低静态功耗和高响应速度。
　　此外，该MOSFET适用于USB Type-C和PD快充协议中的电源路径管理，能够在5V至20V范围内安全地控制大电流传输。在电机驱动电路中，尤其是微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，SDM40E20LA-7可作为低端或高端开关元件，提供高效的电流控制能力。工业控制系统中的数字电源、LED驱动电源以及热插拔控制器也是其常见应用领域。得益于其小型化封装和高功率密度，该器件尤其适合空间受限但对性能要求较高的嵌入式系统和高密度PCB布局设计。

SiSS108DN-T1-GE3
　　AO4414B
　　FDMC8810
　　BSC018N02LS