时间：2025/12/26 12:54:56
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SDM20U30Q-7是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用双二极管共阴极配置，专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件封装在DPAK（TO-252）表面贴装封装中，具有较低的正向电压降和快速的反向恢复特性，能够有效降低开关损耗并提升系统整体能效。其主要目标应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及续流或箝位电路等。SDM20U30Q-7的命名遵循行业标准：'SDM'代表肖特基二极管模块，'20U'表示额定平均整流电流为20A，'30'代表最大反向重复峰值电压为30V，'Q'表示共阴极结构，'-7'则指代特定的包装和卷带规格。由于其优异的热性能和高电流处理能力，该器件广泛应用于工业电源、通信设备、消费类电子产品及汽车电子系统中。此外，其无铅（Pb-free）和符合RoHS标准的设计也满足现代环保法规的要求。
类型：双肖特基二极管
配置：共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大直流反向电压（VR）：30V
平均整流电流（IO）：20A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
最大正向电压降（VF）：950mV @ 20A, Tj=25°C
最大反向漏电流（IR）：400μA @ 30V, Tj=25°C
工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +175°C
封装：DPAK (TO-252)
SDM20U30Q-7的核心优势在于其低正向导通压降与高电流承载能力的完美结合，这使得它在大功率密度电源设计中表现出色。在典型工作条件下（Tj=25°C），其正向电压仅为950mV，相较于传统硅PN结二极管显著降低了导通损耗，从而提高了电源系统的整体效率。同时，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度和几乎可以忽略的反向恢复时间（trr）。这一特性使其特别适用于高频开关环境，如在同步整流拓扑或硬开关变换器中替代MOSFET体二极管使用，以减少因反向恢复电荷（Qrr）引起的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
该器件采用先进的平面工艺制造，并集成在DPAK（TO-252）封装内，该封装具有优良的散热性能，可通过PCB上的铜箔或散热焊盘将热量迅速传导出去，支持高达20A的持续平均整流电流输出。此外，器件具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持较低的漏电流水平——在Tj=125°C时，最大反向漏电流通常不超过4mA，确保系统在恶劣工况下的可靠性。其宽达-65°C至+175°C的工作结温范围，使其不仅适用于常规工业环境，也能在高温汽车应用中稳定运行。
从可靠性角度看，SDM20U30Q-7通过了严格的AEC-Q101车规级认证，表明其在机械强度、热循环耐久性和长期可靠性方面均达到汽车电子应用的标准。器件内部结构优化减少了热阻（RθJC典型值约为1.2°C/W），增强了功率处理能力。此外，产品采用无卤素（Halogen-Free）和符合RoHS指令的绿色材料制造，支持现代电子产品对环保和安全的严格要求。所有这些特性共同使SDM20U30Q-7成为高性能、高可靠性电源设计中的理想选择。
SDM20U30Q-7广泛应用于各类需要高效能、高频率整流功能的电力电子系统中。最常见的应用场景是开关模式电源（SMPS），特别是在低压大电流输出的AC-DC适配器和开放式电源中，作为次级侧整流元件使用，可显著提升转换效率并降低温升。在DC-DC转换器拓扑中，例如Buck、Boost或SEPIC结构中，该器件常用于续流（freewheeling）或输出整流路径，利用其快速响应能力和低VF特性减少能量损失。
在服务器电源、电信整流模块和工业控制电源中，SDM20U30Q-7因其高电流容量和良好热管理表现而被广泛采用。此外，在电池充电管理系统、电动工具电源单元以及LED驱动电源中，该二极管可用于防止反向电流流动，保护主电路免受损坏。
得益于其通过AEC-Q101认证，SDM20U30Q-7也适用于车载应用，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器模块和车身电子系统中的电源整流环节。在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中，该器件可作为防反二极管或旁路二极管使用，确保系统在复杂负载变化下的稳定运行。其表面贴装DPAK封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造，进一步扩展了其在消费类、工业类和汽车类电子产品中的适用性。
SB20U30SP5-13
SDM20U30EP-13
MBR20U30CT
VS-20CTU30-M3
