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CADP82M99D120B 发布时间 时间:2025/8/10 12:44:27 查看 阅读:9

CADP82M99D120B 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,广泛用于工业控制和电源管理系统。这款芯片是一种功率MOSFET模块,具有高电压和大电流承载能力,适用于需要高效功率转换和稳定性的应用场景。

参数

类型:功率MOSFET模块
  最大漏极电压(Vdss):1200V
  最大漏极电流(Id):82A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为99mΩ
  封装形式:模块封装
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

CADP82M99D120B 拥有出色的电气性能和热稳定性,能够在高电压和大电流条件下长时间稳定工作。该模块的导通电阻较低,可有效降低功率损耗,提高系统效率。此外,其模块封装设计具备良好的散热性能,确保芯片在高温环境下仍能保持稳定运行。芯片还具备过载和短路保护功能,增强了系统的可靠性和安全性。由于其高性能特性,该器件适用于各种高要求的功率电子设备。
  在设计方面,CADP82M99D120B 采用了先进的功率MOSFET技术,优化了电流分布和热管理,从而实现了更高的效率和更长的使用寿命。其模块化设计也简化了在PCB上的安装和维护,提高了系统的可扩展性。此外,该芯片的封装结构具备较强的机械强度,能够抵御外部环境的冲击和振动,适合在严苛的工业环境中使用。

应用

CADP82M99D120B 常用于电力电子变换器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、工业自动化控制系统以及新能源设备(如太阳能逆变器)中。

替代型号

SKM82GB120D, FF82MR12W1M_B11

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