时间：2025/6/11 23:13:23
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SDM025N03S(3404) 是一款基于先进的沟槽式 MOSFET 技术设计的 N 沟道增强型功率场效应晶体管。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于高效率的电源转换、电机驱动以及负载切换等应用领域。
它采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，能够有效提升散热性能并减少寄生电感对高频工作的干扰。其卓越的电气性能使其成为许多高效能系统中的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极阈值电压：2.3V
总功耗：29W
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
SDM025N03S 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 4.5V 和 10V 栅极驱动电压下分别为 1.8mΩ 和 1.6mΩ，可降低导通损耗。
2. 快速开关能力，优化了开关时间和米勒电容，有助于提高工作效率。
3. 高雪崩能量承受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 支持高达 175°C 的结温操作，适用于高温环境下的工业及汽车级应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅封装。
SDM025N03S 可广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的同步整流电路。
2. 电池保护电路及充放电管理模块。
3. 工业自动化中的电机控制与驱动电路。
4. 通信设备内的负载切换和保护功能。
5. 汽车电子中的启停系统和 LED 照明驱动电路。
DMN025SQG, STP25NF03L, FDP018N03Z
