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SFU9224TU 发布时间 时间:2025/8/24 14:29:08 查看 阅读:5

SFU9224TU是一款由Rohm Semiconductor设计的N沟道功率MOSFET,主要用于需要高效能和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术,优化了导通损耗和开关性能,从而提高了整体效率。SFU9224TU封装在SOP(小外形封装)中,体积小巧,适合高密度PCB设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):20V
  连续漏极电流(Id):12A
  功耗(Pd):2.5W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  导通电阻(Rds(on)):约8.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  封装类型:SOP

特性

SFU9224TU采用了Rohm专有的沟槽结构,显著降低了导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗。这种MOSFET具有快速的开关速度,使其适用于高频率操作,减少了开关损耗,提高了电源转换效率。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,通常在4.5V至20V之间,使其兼容多种驱动电路。由于其低导通电阻和良好的热管理能力,SFU9224TU非常适合用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。此外,SOP封装不仅节省空间,还便于自动化生产装配,提高了制造效率。
  在可靠性方面,SFU9224TU通过了严格的AEC-Q101汽车电子标准认证,适用于汽车电子系统中的功率管理。其高雪崩能量耐受能力确保在瞬态过压情况下仍能保持稳定运行。

应用

SFU9224TU广泛应用于各种功率电子设备中,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)以及电机控制电路。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及车身控制模块等。此外,它也适用于工业自动化设备、便携式电子设备以及消费类电子产品中的高效能电源管理模块。

替代型号

SiSS9224BQ, FDS9224, FDS9224A, AON6224

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SFU9224TU参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 250 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流- 2.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)2.4 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体IPAK
  • 封装Tube
  • 下降时间15 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)1.9
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升时间19 ns
  • 工厂包装数量70
  • 典型关闭延迟时间34 ns