型号：SDIA0840NT221
　　制造商：Vishay Siliconized Devices
　　封装类型：DFN-6
　　通道数：4
　　工作电压（VRWM）：8V
　　击穿电压（VBR）：9V（最大值）
　　钳位电压（VC）：15.8V（典型值）
　　峰值脉冲电流（IPP）：4A（8/20μs波形）
　　寄生电容（Cj）：0.7pF（典型值）
　　ESD防护能力：±30kV（人体模型，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　反向漏电流（IR）：≤1μA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

SDIA0840NT221的核心特性之一是其超低的寄生电容，典型值仅为0.7pF，这一特性使其非常适合用于高速数据传输线路的保护。在现代电子系统中，如USB 3.0、HDMI 2.0或MIPI接口，信号频率可达GHz级别，任何额外的电容都可能导致信号完整性下降，引发反射、衰减或误码率上升等问题。SDIA0840NT221通过优化内部二极管结构和布局，最大限度地减少了对信号路径的影响，确保高速信号在正常工作状态下几乎不受干扰。同时，在遭遇ESD事件时，该器件能以纳秒级响应速度启动保护机制，将瞬态高压迅速泄放到地，避免敏感IC（如微控制器、FPGA或通信收发器）因过压而损坏。
　　另一个关键特性是其高抗扰度和多重瞬态保护能力。该TVS阵列不仅满足IEC 61000-4-2 Level 4（±30kV接触放电）的严格ESD测试标准，还具备对电快速瞬变（EFT）和雷击浪涌（Surge）的防护能力。这使得它在工业自动化、医疗设备和户外通信终端等电磁环境复杂的场合中表现出色。其4A的峰值脉冲电流承受能力意味着即使在多次重复的瞬态冲击下，器件也能保持稳定性能，不会因热积累而失效。此外，DFN-6的小型化封装不仅节省PCB面积，还具有良好的热导性和机械稳定性，适用于自动化贴片生产流程。
　　该器件采用双向二极管设计，允许其在正负极性的瞬态电压下均能有效工作，特别适合差分信号线或交流耦合电路的保护。与单向TVS相比，双向结构无需考虑极性匹配问题，简化了电路设计和布局。同时，其低钳位电压（15.8V）确保在触发后仍能维持较低的能量传递至被保护器件，进一步提升系统安全性。整体而言，SDIA0840NT221在性能、尺寸和可靠性之间实现了良好平衡，是高性能电子系统中理想的ESD保护解决方案。

SDIA0840NT221广泛应用于需要高可靠性瞬态保护的各类电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的高速接口保护，例如智能手机和平板电脑的USB Type-C端口、耳机插孔、触摸屏信号线以及摄像头模组的MIPI接口。在这些应用中，用户频繁插拔连接器或直接接触接口，极易引入静电放电，而该TVS阵列凭借其低电容和快速响应特性，可在不影响信号质量的前提下提供有效防护。
　　在通信领域，该器件可用于以太网接口、HDMI、DisplayPort和SD卡槽等高速数据通道的ESD抑制。特别是在工业物联网（IIoT）设备中，由于长期暴露于复杂电磁环境中，常面临来自电源耦合或电缆感应的瞬态干扰，SDIA0840NT221可集成在信号调理电路前端，作为第一道防线保障通信链路的稳定性。
　　此外，该器件也适用于医疗仪器、测试测量设备和汽车信息娱乐系统中的传感器信号线保护。在汽车电子中，尽管主电源系统通常使用更高功率的TVS器件，但车内信息娱乐系统的音频、视频和数据接口仍需此类微型TVS进行局部保护。得益于其-40°C至+125°C的宽工作温度范围，SDIA0840NT221可在高温环境下稳定运行，适应车载应用的严苛条件。

SM712-02BT1G
　　TPD1E10B06DPYR
　　ESD9L5.0ST5G