尺寸：0402 (1.0mm x 0.5mm)
　　电容值：4.7μF
　　额定电压：4V DC
　　温度特性：X5R (±15%)
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　介质材料：陶瓷（BaTiO3基）
　　电容公差：±20%
　　直流偏压特性：典型情况下在额定电压下电容下降约50%-60%
　　等效串联电阻（ESR）：低（具体值依应用频率而定）
　　绝缘电阻：≥50MΩ 或 ≥1000Ω·μF（取较大值）
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-30标准
　　端子电极：镍阻挡层 + 锡外涂层（Ni/Sn）
　　包装形式：编带卷盘（tape and reel）
　　非磁性：是
　　符合标准：RoHS、REACH、AEC-Q200（视具体批次而定）

SDIA0420MT470所采用的X5R介电材料是一种以钛酸钡（BaTiO3）为基础的铁电陶瓷配方，具有较高的介电常数，从而实现小封装内大容量的设计目标。这种材料在中等温度范围内表现出相对稳定的电容性能，尤其在室温附近，电容变化较小，适用于大多数非精密但要求高集成度的应用场景。尽管X5R材料存在明显的直流偏压效应——即随着施加电压接近额定值，实际可用电容会显著降低（通常在4V偏压下保留约40%-50%原始电容），但其综合性能仍优于许多同类产品。该器件通过优化内部电极结构和介质层厚度，有效降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），增强了高频去耦能力，使其在高速数字电路中能快速响应瞬态电流需求，抑制电源噪声。此外，其0402微型封装不仅节省PCB空间，还减少了寄生参数的影响，有利于提高系统整体信号完整性。三星在生产过程中采用了先进的薄层共烧技术，确保每一层陶瓷介质均匀致密，避免微裂纹和空洞，从而提升机械强度和长期可靠性。该电容器对热应力和机械振动有良好抵抗能力，在多次回流焊过程中不易产生开裂或脱层现象。同时，其端电极采用双层金属化结构（铜内电极/Ni-Sn外电极），提供优异的可焊性和抗氧化性能，确保SMT贴装良率。值得注意的是，由于高容值MLCC在温度、电压和老化因素下会发生电容衰减，建议在电路设计时预留足够的裕量，尤其是在低压大电流电源轨的滤波应用中。总体而言，SDIA0420MT470凭借其高体积效率、可靠的电气性能和成熟的制造工艺，成为现代紧凑型电子产品中不可或缺的关键元件之一。
　　

SDIA0420MT470主要应用于需要小型化和高电容密度的电子设备中，特别适用于移动通信和便携式消费类电子产品。在智能手机和平板电脑中，它常被用作处理器核心电源（core VDD）、I/O电源以及射频模块的去耦电容，帮助平滑电源波动并减少高频噪声干扰。由于其低ESR特性，该器件能够有效应对CPU或GPU在动态负载切换时产生的瞬态电流尖峰，维持供电电压稳定，从而保障芯片正常运行。在电池管理系统（BMS）和电源管理单元（PMU）中，该电容器可用于输入/输出滤波，提升DC-DC转换器的效率与稳定性。此外，在可穿戴设备如智能手表和无线耳机中，受限于极其有限的PCB面积，SDIA0420MT470的小尺寸优势尤为突出，可在不牺牲性能的前提下实现高密度布局。工业控制模块、传感器节点和物联网（IoT）终端也广泛采用此类高容值MLCC进行局部储能和噪声抑制。在汽车电子领域，虽然该型号未明确标注符合AEC-Q200标准，但在非关键车载应用（如信息娱乐系统、车内照明控制）中仍有使用案例。另外，由于其非磁性特性，该器件适合用于高灵敏度模拟电路或靠近磁传感器的位置，避免引入额外磁场干扰。在高速数字电路设计中，工程师常将其与更低容值的电容器（如0.1μF或10nF）并联，构建多级去耦网络，以覆盖更宽的频率响应范围。总之，SDIA0420MT470凭借其紧凑尺寸、适中的电压等级和良好的高频性能，已成为现代电子产品电源完整性设计中的常用选择之一。