MG651350 时间：2025/4/29 15:08:40 阅读：3

MG651350是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效电能转换的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提高系统的高耐压特性和大电流承载能力使其成为工业及汽车应用的理想选择。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压：650V
　　最大连续漏极电流：135A
　　导通电阻：4.5mΩ（典型值）
　　栅极-源极电压：±20V
　　功耗：170W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-247

特性

MG651350具有以下主要特性：
　　1. 高额定电压和电流能力，能够满足多种高压应用场景的需求。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提升系统效率。
　　3. 快速开关速度，支持高频操作，适合开关电源和DC-DC转换器。
　　4. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
　　5. 内置雪崩保护功能，增强了器件在异常情况下的耐用性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。

应用

MG651350适用于以下应用领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
　　2. 工业设备中的电机驱动与控制。
　　3. 太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换模块。
　　4. 电动车和混合动力汽车的电池管理系统（BMS）以及电机控制器。
　　5. 高效DC-DC转换器设计。
　　6. 各类负载切换和保护电路。