时间：2025/8/4 19:54:04
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SDHN5KM是一款由Sanken Electric Co., Ltd.（三莹电机株式会社）制造的高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET。该器件主要用于电源管理和功率转换应用，如DC-DC转换器、电源供应器、电池管理系统等。SDHN5KM采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了功率损耗，提高了整体效率。该器件封装为TO-252（DPAK）形式，适合表面贴装（SMT）工艺，便于在紧凑型电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：10A
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
SDHN5KM具备优异的导通和开关性能，适用于高频率开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下仍然保持较低的功率损耗，有助于提高系统的整体效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，延长器件的使用寿命。
该器件的封装设计采用了TO-252（DPAK）标准封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性。其封装形式也有助于减少焊接过程中产生的热应力，提高产品的可靠性。SDHN5KM还具有较高的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压冲击，保护电路免受损坏。
SDHN5KM的栅极驱动特性良好，能够在较低的栅极电压下实现快速导通和关断，降低开关损耗。这使其在高频率应用中表现出色，例如在同步整流器、开关电源和电机控制电路中。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高系统响应速度。
SDHN5KM广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池管理系统（BMS）以及电机驱动电路等。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效率电源设计的理想选择。此外，该器件还可用于工业自动化设备、消费类电子产品和通信设备中的功率控制电路。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，SDHN5KM也常用于实现高效的能量转换和管理。
Si4446BDY-T1-GE3, IRFZ44N, FDP6030L, NTD4859N
