IR313 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的高集成度、高效能的功率 MOSFET 驱动器芯片,主要用于同步整流和电源转换应用。该器件专为驱动N沟道MOSFET而设计,具备高速开关能力和较强的驱动电流输出,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、服务器电源、电信电源系统等高效率电源设计中。
封装类型:8引脚 SOIC
工作电压范围:4.5V 至 20V
输出峰值驱动电流:±3A(典型值)
传播延迟时间:30ns(典型值)
上升时间:15ns(典型值)
下降时间:10ns(典型值)
输入信号兼容CMOS/TTL电平
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
IR313 具备优异的驱动性能和稳定性,其主要特性包括高输出电流能力、低传播延迟和快速的上升/下降时间,这使得它能够满足高频开关应用的需求。芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时关闭输出,防止MOSFET误动作。
此外,IR313采用了高端与低端驱动分离设计,具备交叉导通保护和死区时间控制能力,适用于半桥或全桥拓扑结构。其耐高温能力较强,适应于各种严苛的工业环境。同时,芯片封装尺寸小,便于在紧凑型电源模块中使用,提高了系统的集成度和可靠性。
IR313还具备较强的抗干扰能力,输入端具备施密特触发器设计,能够有效抑制输入信号中的噪声干扰,提高系统稳定性。整体设计使其成为高性能电源转换系统中理想的MOSFET驱动器选择。
IR313 被广泛应用于各类电源转换系统中,包括但不限于同步整流开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、隔离式电源转换器、服务器和电信设备的电源模块、高效率电源适配器以及工业自动化和嵌入式系统的电源管理部分。其优异的动态响应和稳定性也使其适用于高频开关环境,如LLC谐振变换器和ZVS(零电压开关)拓扑结构。
IR2110, IRS21844, LM5112