时间：2025/8/4 20:08:03
阅读：21
SDHN15K 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关特性。SDHN15K 采用 DPAK（TO-252）封装，适合用于汽车电子、工业控制、电源管理和 DC-DC 转换器等场景。
类型：N沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：15A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大 70mΩ（在 VGS=10V）
功率耗散（PD）：80W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
SDHN15K 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率；
该器件具有较高的电流承载能力，支持在高负载条件下稳定工作；
快速的开关速度使其适用于高频开关应用，减少开关损耗；
采用 DPAK 封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺；
该 MOSFET 具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了器件在高压瞬态条件下的可靠性；
适用于汽车应用的高可靠性设计，符合 AEC-Q101 标准。
SDHN15K 主要应用于汽车电子系统，如电动助力转向、车载充电器和电池管理系统；
广泛用于工业电源、DC-DC 转换器和同步整流器；
适用于电机控制、负载开关和电源管理模块；
在 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用；
由于其高可靠性和优异的热性能，也适合用于高温和高负载环境下工作的设备。
STD15NF06L, FDPF15N60, IRFZ44N
