型号：SDF07N50T
　　封装类型：TO-220
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源击穿电压（BVDSS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：7A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 5V
　　导通电阻（RDS(on)）：< 1.2Ω @ VGS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：典型值约45nC
　　输入电容（Ciss）：典型值约1100pF
　　输出电容（Coss）：典型值约180pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管快恢复特性
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散（PD）：典型值125W（带散热片）

SDF07N50T采用高性能平面条纹沟槽栅结构，这种设计优化了电场分布，提升了器件的耐压能力和可靠性。其核心优势之一是具备较低的导通电阻（RDS(on)），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率。尤其在中高功率开关电源中，这一特性可以显著减少发热，提升系统稳定性。该器件的栅极电荷（Qg）较低，意味着在高频开关操作时所需的驱动能量更少，从而减轻了驱动电路的负担，并有助于实现更高的开关频率，适用于追求小型化和高效化的现代电源设计。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，包括快速的开关速度和较小的开关延迟时间，这使得它在硬开关拓扑如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器中表现出色。其输入电容和输出电容均经过优化，在保证耐压的同时减少了不必要的寄生效应，有利于EMI（电磁干扰）控制。此外，SDF07N50T内置的体二极管虽然不具备超快恢复特性，但在许多应用中仍可提供必要的续流路径，尤其在非连续导通模式下起到关键作用。
　　热性能方面，TO-220封装提供了良好的热传导路径，配合适当的散热片可有效将结温控制在安全范围内。器件的工作结温可达150°C，具备较强的过温耐受能力。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和高压蒸气老化（H3TRB）等，确保在潮湿、高温等恶劣环境下仍能稳定运行。其高雪崩能量等级也使其在突发电压冲击或负载突变时具备更强的生存能力，适合用于对安全性要求较高的工业和消费类电源产品中。

SDF07N50T广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要500V耐压等级的AC-DC转换场合。典型应用包括通用型开关电源适配器、台式电脑和服务器的辅助电源、LED照明驱动电源、工业控制电源模块以及家电中的嵌入式电源单元。由于其具备较高的效率和良好的热稳定性，该器件特别适用于待机功耗要求严格的产品设计中。在反激式变换器拓扑中，SDF07N50T常被用作主开关管，承担能量传递和电压变换的核心任务，其快速开关特性有助于减小变压器体积并提升功率密度。
　　此外，该器件也适用于DC-DC升压或降压变换器中的高压侧开关，尤其在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电池管理系统中发挥重要作用。在这些系统中，SDF07N50T不仅需要承受较高的直流母线电压，还需应对频繁的开关应力和可能的瞬态过压情况，因此其高可靠性和强健的电气参数显得尤为重要。在电机驱动领域，该MOSFET可用于单相感应电机或永磁同步电机的控制电路中，作为桥式电路的一部分进行相位切换控制。
　　在消费类电子产品中，如电视、显示器和音响设备的内置电源中，SDF07N50T因其性价比高、供货稳定而受到青睐。同时，其符合RoHS标准的环保特性也满足了出口产品的法规要求。在工业自动化设备中，如PLC控制器、传感器供电模块和通信基站电源中，该器件同样具备广泛应用前景。总之，凡是需要一个500V N沟道MOSFET来实现高效、可靠功率开关功能的场景，SDF07N50T都是一个值得考虑的选择。

STP7NK50ZFP
　　FQP7N50
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