FMM5023MUT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。这款晶体管专为射频(RF)和高速开关应用设计,具有出色的高频性能和低噪声特性,适用于通信设备、射频放大器、高频振荡器以及高速开关电路等场景。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流 (Ic):100mA
最大集电极-发射极电压 (Vce):50V
最大集电极-基极电压 (Vcb):50V
最大功耗 (Pd):200mW
过渡频率 (fT):100MHz
电流增益带宽积 (fT):100MHz
电流增益 (hFE):110-800(根据等级不同)
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
FMM5023MUT 具备一系列卓越的电气特性,使其在射频和高速应用中表现出色。首先,其高频特性使得它能够用于高达 100MHz 的放大和振荡电路中,满足高频信号处理的需求。其次,该晶体管的低噪声系数使其非常适合用于射频前端放大器,有助于提高系统的信噪比。
此外,FMM5023MUT 采用 SOT-23 小型表面贴装封装,节省空间,便于在高密度 PCB 设计中使用。其较高的击穿电压(Vce 和 Vcb 均为 50V)确保了在较高电压环境下的稳定运行。该晶体管的 hFE(电流放大系数)范围广泛,从 110 到 800 不等,可根据具体应用需求选择合适的等级。
该器件的功耗较低,最大为 200mW,适合用于对功耗敏感的设计。此外,其宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其能够在极端环境条件下可靠运行,适用于工业级和汽车级应用场景。
由于其优异的高频性能和稳定的电气参数,FMM5023MUT 也常用于射频功率放大、高速逻辑开关、缓冲器电路和低噪声前置放大器等领域。
FMM5023MUT 广泛应用于射频通信系统、高频放大器、振荡器、高速开关电路、低噪声前置放大器、汽车电子系统、工业控制设备以及便携式电子设备。由于其高频性能和小型封装,它也常用于无线通信模块、射频识别(RFID)设备、传感器接口电路以及音频放大器前端电路。
BC847系列, 2N3904, PN2222A, MMBT3904